Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jantx1n4571a-1 | 7.4100 | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4571 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
![]() | CDLL4761/TR | 3.2319 | ![]() | 6090 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4761/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||||||
Jantxv1n5615 | 11.8350 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5615 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.6 v @ 3 a | 150 ns | 500 na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 45pf @ 12V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5937BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5937 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | |||||||||||||
![]() | UES1106E3 | 21.1050 | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5712ubd | 118.6800 | ![]() | 4580 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 16 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6333cus/tr | 57.2550 | ![]() | 5539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jantxv1n6333cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 18 V | 24 V | 24 ohmios | ||||||||||||||||
Jantx1n4496us | 15.1950 | ![]() | 1698 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 160 V | 200 V | 1500 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4946/tr | 11.2650 | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/359 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4946/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n2820b | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2820 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 2.6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CDS759AUR-1/TR | - | ![]() | 8081 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds759aur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Smaj5934e3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 9480 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5934 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jans1n4971 | 80.1900 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | S30420 | 39.0750 | ![]() | 5369 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S304 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | S30420 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||||||
![]() | Jantx1n5524dur-1 | 47.2200 | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5524 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 3.5 V | 5.6 V | 30 ohmios | |||||||||||||
1N5259B/TR | 2.0349 | ![]() | 8540 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5259B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Jans1n936bur-1 | 525.1800 | ![]() | 6403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n936bur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | S30760 | 52.3200 | ![]() | 2926 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | S30760 | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 25 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 85a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5356AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 5086 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5356 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 13.7 V | 19 V | 3 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5937CE3/TR13 | - | ![]() | 3754 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5937 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantx1n5518cur-1/tr | 32.3988 | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5518CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CDLL5817/TR | 7.1550 | ![]() | 1046 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | Schottky | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5817/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 1 A | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||
Jan1n3826d-1 | 21.7350 | ![]() | 4087 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3826 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
![]() | S306080F | 49.0050 | ![]() | 9322 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S306080F | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5934CE3/TR13 | - | ![]() | 9581 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5934 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n3326rb | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | CD970B | 1.5029 | ![]() | 7859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD970B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||
1N6338US | 14.6400 | ![]() | 4078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6338 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 30 V | 39 V | 55 ohmios | |||||||||||||||
Jan1n6342us/tr | 16.0800 | ![]() | 5498 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-ENERO1N6342US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 43 V | 56 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | GC4723-79 | - | ![]() | 3483 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 2-smd, sin plomo | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4723-79 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 W | 0.5pf @ 6V, 1 MHz | PIN - Single | 120V | 500mohm @ 10 Ma, 100MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock