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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
1N4584A/TR	21.7200	RFQ	3462	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4584A/TR	EAR99	8541.10.0050	100								2 µA @ 3 V						6.4 V	25 ohmios
1 PMT5948B/TR13	2.2200	RFQ	8492	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5948		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V						91 V	200 ohmios
1 PMT5943A/TR7	2.2200	RFQ	1944	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5943		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V						56 V	86 ohmios
MSASC100H30HX/TR	-	RFQ	5437	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC100H30HX/TR			100
1N1676	158.8200	RFQ	9524	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N1676	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			500 V		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
1N3156A	31.5600	RFQ	1030	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N3156		500 MW	Do-7	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N3156A	EAR99	8541.10.0050	1								10 µA @ 5.5 V						8.4 V	15 ohmios
Jantx1n6626u	18.1050	RFQ	4266	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/590	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6626	Estándar		D-5A	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.35 v @ 2 a	30 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.75a	-
Jan1N992Cur-1/TR	-	RFQ	9706	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	descascar				150-ENERO1N992CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 152 V						200 V	2500 ohmios
1N4743AE3	3.6450	RFQ	8984	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4743AE3	EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V						13 V	10 ohmios
CD5519	2.2950	RFQ	6521	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5519	EAR99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
1N4624	2.3275	RFQ	2252	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4624	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V						4.7 V	1550 ohmios
1N3031BUR-1	15.3000	RFQ	8568	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N3031		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V						30 V	40 ohmios
SMBJ5377CE3/TR13	1.0800	RFQ	8535	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5377		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 1 a		500 na @ 65.5 V						91 V	75 ohmios
Jans1n4127cur-1	97.9650	RFQ	8215	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 42.6 V						56 V	300 ohmios
1N6024UR-1/TR	3.7400	RFQ	9963	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264						1.1 V @ 200 Ma								100 V
SBT3060C	62.1000	RFQ	1392	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	SBT3060	Schottky		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150-SBT3060C	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	60 V	15A	740 MV @ 30 A		1.5 Ma @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
CDLL5522D/TR	16.3950	RFQ	8885	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5522D/TR	EAR99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V						4.7 V	22 ohmios
1N4567AE3/TR	4.2750	RFQ	2801	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4567AE3/TR	EAR99	8541.10.0050	222								2 µA @ 3 V						6.4 V	200 ohmios
1N5616	3.3200	RFQ	75	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5616	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			400 V		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jan1n3826cur-1	35.5200	RFQ	3940	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3826		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V						5.1 V	7 ohmios
Jan1n2808rb	-	RFQ	8843	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/114	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2808		25 W	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 2 a		25 µA @ 6.7 V						10 V	0.6 ohmios
1N4776A	33.0450	RFQ	8561	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4776		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1														8.5 V	200 ohmios
SMBJ5387A/TR13	1.6350	RFQ	5351	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5387		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 1 a		500 na @ 137 V						190 V	450 ohmios
Jantx1n4619cur-1	30.8700	RFQ	7094	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4619		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1								400 na @ 1 V						3 V	1600 ohmios
UM7502F	34.1100	RFQ	9324	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 175 ° C		-				-	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-UM7502F	EAR99	8541.10.0060	1		10 W									1PF @ 100V, 1MHz	PIN - Single	200V			1ohm @ 50 mm, 100MHz
1N3332A	49.3800	RFQ	6907	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3332		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38.8 V						51 V	5.2 ohmios
Jantx1n4957	7.2150	RFQ	5825	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4957		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		25 µA @ 6.9 V						9.1 V	2 ohmios
CDLL4732	2.4450	RFQ	8398	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4732			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohmios
1N2788	74.5200	RFQ	6813	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2788	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
Jan1N4119C-1/TR	9.4430	RFQ	7681	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4119C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.3 V						28 V	200 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²