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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Max	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
1N5538C	11.3550	RFQ	2896	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5538C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V						18 V	100 ohmios
Jantx1n3018b-1	-	RFQ	3166	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V						8.2 V	4.5 ohmios
1N6883UTK4	259.3500	RFQ	4586	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1N6883UTK4			1
1N4567AE3/TR	4.2750	RFQ	2801	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4567AE3/TR	EAR99	8541.10.0050	222							2 µA @ 3 V						6.4 V	200 ohmios
1N4960U/TR	7.4613	RFQ	3206	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	B, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4960U/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		10 µA @ 9.1 V						12 V	2.5 ohmios
CDLL4132/TR	3.3516	RFQ	4003	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4132/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 62.4 V						82 V	800 ohmios
1N4624	2.3275	RFQ	2252	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4624	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V						4.7 V	1550 ohmios
1N5227Be3/TR	2.5669	RFQ	4330	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5227BE3/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		15 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
Jan1N753CUR-1	11.3850	RFQ	1170	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N753		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V						6.2 V	7 ohmios
Jantxv1n6765r	-	RFQ	8622	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)		Estándar		Un 254	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V	1.05 v @ 12 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-	12A	300pf @ 5V, 1MHz
Jan1n649ur-1/TR	-	RFQ	1953	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/240	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N649UR-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			600 V	1 V @ 400 Ma			-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
GC4493-01	-	RFQ	2285	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C		Morir				Chip	-			Alcanzar sin afectado	150-GC4493-01	EAR99	8541.10.0040	1		50 Ma								0.75pf @ 50V, 1MHz	PIN - Single	750V			800mohm @ 100 mm, 100MHz
Jans1n4495d	452.0100	RFQ	3577	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4495d	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 144 V						180 V	1300 ohmios
Jan1N992Cur-1/TR	-	RFQ	9706	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	descascar				150-ENERO1N992CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 152 V						200 V	2500 ohmios
1N4743AE3	3.6450	RFQ	8984	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4743AE3	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V						13 V	10 ohmios
Jantxv1n3822d-1/tr	32.2126	RFQ	3895	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3822D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		75 µA @ 1 V						3.6 V	10 ohmios
Jantx1n3026c-1	25.5600	RFQ	8903	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3026		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V						18 V	20 ohmios
1 PMT5929C/TR13	2.7600	RFQ	6041	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5929		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V						15 V	8 ohmios
Jan1n2973b	-	RFQ	5130	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		25 µA @ 6.9 V						9.1 V	2 ohmios
CD5260B	1.4497	RFQ	7504	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5260B	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 33 V						43 V	93 ohmios
1N4477C	17.7000	RFQ	8312	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4477C	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 26.4 V						33 V	25 ohmios
CDLL6014	2.7150	RFQ	4659	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					CDLL6014				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n4478cus	283.8300	RFQ	5545	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4478cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 28.8 V						36 V	27 ohmios
UM4902C	-	RFQ	1842	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 175 ° C		Semental				-	-			Alcanzar sin afectado	150-UM4902CTR	EAR99	8541.10.0060	1			37.5 W							3pf @ 100V, 1 MHz	PIN - Single	200V			500mohm @ 100 mA, 100MHz
1N6025UR-1/TR	3.7400	RFQ	7349	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 Ma								110 V
CD5519	2.2950	RFQ	6521	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5519	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
Jantx1n754cur-1	-	RFQ	2082	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Descontinuado en sic	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 4 V						6.8 V	5 ohmios
Jans1n827ur-1	195.9900	RFQ	2790	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
Jan1n4489dus	34.6050	RFQ	7966	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4489		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		250 na @ 80 V						100 V	250 ohmios
1N5616	3.3200	RFQ	75	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5616	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			400 V	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²