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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n3026b-1 | 11.8800 |  | 1047 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3026 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N754A | 2.1800 | | 1949 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N754 | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N754ams | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N5529A/TR | 1.9950 | | 8532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5529A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 7 V | 9.1 V | ||||||||||||||||||
 | Jan1n4970us/tr | 9.4500 | | 1047 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4970US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jan1n4477c | 15.5700 | | 1546 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4477 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | |||||||||||||||
 | CDLL5251D | 8.4150 | | 8744 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5251D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantxv1n6315cus/tr | 54.9900 | | 8878 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jantxv1n6315cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
 | SMBJ5926B/TR13 | 1.5600 | | 4322 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5926 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 5.5 ohmios | |||||||||||||||
| Jantxv1n3335b | - | | 5380 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 47.1 V | 62 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N5922CP/TR12 | 2.2800 | | 1839 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5922 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 6 V | 7.5 V | 3 ohmios | |||||||||||||||
| Jan1N986B-1/TR | 1.6625 | | 4606 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n986b-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 84 V | 110 V | 750 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4558A | 74.3550 | | 4155 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N4558 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 500 MV | 4.3 V | 0.16 ohmios | |||||||||||||||
 | CD4743A | 1.8354 | | 6332 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4743A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jans1n6319dus | 412.1550 | | 7747 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Banda | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6319 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1N4982C | 22.3650 | | 3206 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4982 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | |||||||||||||||
 | SMAJ4751CE3/TR13 | 0.6450 | | 1217 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4751 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N4133/TR | 2.6400 | | 2851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4133/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 358 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 66.12 V | 87 V | 1000 ohmios | |||||||||||||||||
| ST6060D | 78.9000 | | 6954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | ST60 | Estándar | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150 ST6060D | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 600 V | 20A | 1 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||
| Jantxv1n4966d | 22.6200 | | 3541 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n4966d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jans1n6490cus/tr | - | | 9001 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | 150-jans1n6490cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4986dus | 51.1200 | | 5299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4986dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | |||||||||||||||||
| CD4131 | 1.3699 | | 8678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4131 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 57 V | 75 V | 700 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantxv1n5551us/tr | 16.0650 | | 2783 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n555551us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
| 1N6006UR/TR | 3.7350 | | 8265 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6006UR/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 18 V | ||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5942A/TR13 | 2.2200 | | 9853 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5942 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||||||||
| SMBG5346AE3/TR13 | 1.1250 | | 3331 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5346 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||||||||
| GC4270-150A | - | | 5684 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4270-150ATR | 1 | 10 Ma | 0.06pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 70V | 1.5ohm @ 20 mm, 1 GHz | |||||||||||||||||||||
| Jan1n4495us/tr | 14.5050 | | 5987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-ENERO1N4495US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 144 V | 180 V | 1300 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Janhca1n751a | 7.2618 | | 7695 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N751A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4753P/TR8 | 1.8600 | | 2014 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4753 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios |
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