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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n968c-1	6.3450	RFQ	3561	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N968		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
Jantxv1n2973rb	-	RFQ	7079	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	2 ohmios
1N4114ur	3.7950	RFQ	5457	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4114		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.2 V				20 V	150 ohmios
Jans1n6320dus/tr	412.3050	RFQ	9749	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n6320dus/tr	EAR99	8541.10.0050	50			1.4 v @ 1 a		2 µA @ 4 V				6.8 V	3 ohmios
CD977B	1.5029	RFQ	4736	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD977B	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 36 V				47 V	105 ohmios
UTR4320	12.8400	RFQ	6479	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UTR4320	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.1 v @ 4 a	250 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	320pf @ 0V, 1MHz
Jan1n3310b	-	RFQ	9928	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	0.8 ohmios
1N5522C	11.3550	RFQ	7623	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5522C	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.7 V	22 ohmios
CDS979B-1	-	RFQ	5381	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS979B-1	EAR99	8541.10.0050	50
1N5350/TR12	-	RFQ	5582	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5350		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		1 µA @ 9.4 V				13 V	2.5 ohmios
Jan1N4627Dur-1/TR	18.7264	RFQ	9276	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4627DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V				6.2 V	1200 ohmios
1 PMT4101/TR13	0.9600	RFQ	4810	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4101		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.24 V				8.2 V	200 ohmios
1n6642ubca/tr	14.4300	RFQ	9911	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-							100
Jan1n4470	8.1900	RFQ	8967	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4470		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.8 V				16 V	10 ohmios
1N645ur-1	-	RFQ	5098	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	225 V	1 V @ 400 Ma		50 na @ 225 V	-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
Jan1n4109Cur-1	14.5650	RFQ	2304	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4109			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V	100 ohmios
1N5948B	3.4050	RFQ	9640	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5948			DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n4475cus/tr	283.9800	RFQ	1435	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jans1n4475cus/tr	EAR99	8541.10.0050	50			1.5 v @ 1 a		50 na @ 21.6 V				27 V	18 ohmios
Jan1n3018ur-1/TR	12.8850	RFQ	4319	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.5 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n3018ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 6.2 V				8.2 V	4.5 ohmios
Jans1n3154ur-1	-	RFQ	8511	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 5.5 V				8.8 V	15 ohmios
UES803	63.9150	RFQ	6991	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	UES803	Estándar		Do-5	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	975 MV @ 70 A	50 ns	25 µA @ 150 V	175 ° C (Máximo)	70a	-
Jantxv1n4130dur-1/tr	32.0663	RFQ	6423	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4130DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.7 V				68 V	700 ohmios
Janhca1n4622c	-	RFQ	3971	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4622C	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				3.9 V	1650 ohmios
CDLL5263C	6.7200	RFQ	4999	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5263C	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
Jans1n4961	80.1900	RFQ	8504	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado	2266-Jans1n4961	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		10 µA @ 9.9 V				13 V	3 ohmios
1N5543B	3.0750	RFQ	2400	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5543		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.4 V				25 V	110 ohmios
1N2067	158.8200	RFQ	6479	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2067	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	900 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 900 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
1 PMT5948C/TR13	2.7600	RFQ	2068	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5948		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V				91 V	200 ohmios
Jan1n979b-1	1.7100	RFQ	9102	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N979		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
CDLL5263A/TR	2.7664	RFQ	2102	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			10 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5263A/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²