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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL5263A/TR	2.7664	RFQ	2102	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			10 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5263A/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
1N5269	2.1000	RFQ	4682	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5269	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 65 V				87 V	370 ohmios
Jantx1n3028c-1/tr	22.7962	RFQ	1420	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N3028C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 V	23 ohmios
1N5231bur-1e3	3.0600	RFQ	6546	Tecnología de Microchip	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N5231		500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1N5231bur-1e3ms	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	17 ohmios
CDS3031B-1/TR	-	RFQ	5533	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3031B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
1N5529/TR	1.9950	RFQ	6365	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5529/TR	EAR99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 7 V				9.1 V
1N966BE3/TR	2.1679	RFQ	4759	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N966BE3/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	17 ohmios
Jantx1n4493dus/tr	45.2400	RFQ	8290	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-Jantx1n4493dus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		250 na @ 120 V				150 V	700 ohmios
Jantxv1n4119d-1/tr	25.8153	RFQ	7112	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4119D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200 ohmios
Jantxv1n6487us/tr	-	RFQ	8595	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-jantxv1n6487us/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		35 µA @ 1 V				3.9 V	9 ohmios
1N4626D	6.5700	RFQ	8852	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4626D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 4 V				5.6 V	1400 ohmios
Jantxv1n5541d-1	29.2200	RFQ	5764	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5541		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 19.8 V				22 V	100 ohmios
Jantx1n5807urs/tr	20.4300	RFQ	6867	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/477	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-				150-Jantx1n5807urs/TR			100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1 MHz
CDLL4124/TR	2.7531	RFQ	3081	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4124/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 32.7 V				43 V	250 ohmios
1N4612A	15.9600	RFQ	3035	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1N4612A	EAR99	8541.10.0050	1
1N5918BP/TR12	1.8900	RFQ	4943	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5918		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	4 ohmios
Jantxv1n5804us/tr	14.1150	RFQ	5880	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		D-5A	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5804US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
Jan1N4970	5.8950	RFQ	8685	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4970		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 25.1 V				33 V	10 ohmios
SBR8050	131.4300	RFQ	7579	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	SBR8050	Schottky			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SBR8050-NDR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	740 MV @ 80 A		2 Ma @ 50 V		80A	-
Jan1n6941utk3	-	RFQ	6447	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	30 V	500 MV @ 50 A		5 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	150a	7500pf @ 5V, 1MHz
Jan1n973cur-1	11.3850	RFQ	2629	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N973		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
Jantxv1n6312dus/tr	-	RFQ	3046	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6312		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	100			1.4 v @ 1 a		5 µA @ 1 V				3.3 V	27 ohmios
1N5188/TR	8.2800	RFQ	5564	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5188/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.5 v @ 9 a	250 ns	2 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5373CE3/TR8	3.3900	RFQ	3987	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5373		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 49 V				68 V	44 ohmios
1N5084	23.4000	RFQ	5914	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Axial			3 W	Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5084	EAR99	8541.10.0050	1
Jan1n6334us	13.3800	RFQ	4047	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6334		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 21 V				27 V	27 ohmios
1N4976cus/TR	18.8700	RFQ	2602	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-					EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 42.6 V				56 V	35 ohmios
1N4926A/TR	85.5000	RFQ	3372	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4926A/TR	EAR99	8541.10.0050	1									19.2 V	75 ohmios
Jantxv1n5537d-1/tr	26.0414	RFQ	3783	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5537D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100 ohmios
CDLL5521A/TR	5.9052	RFQ	7110	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5521A/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 V	18 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²