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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jans1n6332us/tr	134.9550	RFQ	8532	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jans1n6332us/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.4 v @ 1 a		50 na @ 17 V				22 V	20 ohmios
1N4739PE3/TR12	0.9150	RFQ	7898	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4739		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 7 V				9.1 V	5 ohmios
Jan1N751A-1	2.0600	RFQ	21	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N751		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	14 ohmios
Jankca1n4115d	-	RFQ	7036	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4115d	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.72 V				22 V	150 ohmios
Jantxv1n4462dus/tr	38.7600	RFQ	9302	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-jantxv1n4462dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		1 µA @ 4.5 V				7.5 V	2.5 ohmios
1N4566A-1	4.2150	RFQ	5840	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4566		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Apt2x30d30j	31.5400	RFQ	9426	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	300 V	30A	1.4 V @ 30 A	25 ns	150 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Jans1n4471us/tr	85.9004	RFQ	7360	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4471us/tr	EAR99	8541.10.0050	1
1 PMT5946AE3/TR13	0.7350	RFQ	6532	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5946		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 V	140 ohmios
Jan1n3823d-1	21.7350	RFQ	6508	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3823		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 V	9 ohmios
SMBJ5380BE3/TR13	0.8250	RFQ	5252	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5380		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 86.4 V				120 V	170 ohmios
Jantx1n4489dus/tr	49.7250	RFQ	3429	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-JantX1N4489DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		250 na @ 80 V				100 V	250 ohmios
1N4764AG/TR	3.1654	RFQ	5450	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4764AG/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 76 V				100 V	350 ohmios
30FQ045	64.5600	RFQ	2315	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Schottky		DO-4 (DO-203AA)	-			Alcanzar sin afectado	150-30FQ045	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 30 A		1.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
Smaj4745ce3/tr13	0.6450	RFQ	1638	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj4745		2 W	DO-214AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
CD3024A	4.0650	RFQ	8767	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD3024A	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
1N4467/TR	6.6234	RFQ	4450	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4467/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		200 na @ 9.6 V				12 V	7 ohmios
1N5931PE3/TR12	0.9150	RFQ	1942	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5931		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12 ohmios
Jan1n6074	14.4150	RFQ	6670	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/503	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N6074	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		2.04 v @ 9.4 a	30 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 155 ° C	3A	-
MSASC75W60F/TR	-	RFQ	2670	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC75W60F/TR			100
Jan1n3313rb	-	RFQ	3712	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				14 V	1.2 ohmios
CDLL5541A/TR	5.9052	RFQ	9857	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5541A/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18 V				22 V	100 ohmios
1 PMT5944/TR13	2.2200	RFQ	4423	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5944		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 V	100 ohmios
CDLL4734	2.9400	RFQ	9423	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4734			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.6 V	5 ohmios
Jantxv1n4972dus	51.1200	RFQ	2599	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4972dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 29.7 V				39 V	14 ohmios
CDLL6315	14.0250	RFQ	6632	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6315		500 MW	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				4.3 V	18 ohmios
Jantx1n985c-1	7.4700	RFQ	2235	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N985		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 76 V				100 V	500 ohmios
Jans1n4957cus/tr	462.1650	RFQ	5986	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jans1n4957cus/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.5 v @ 1 a		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	2 ohmios
S53120	158.8200	RFQ	4295	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S53120			1
Jantx1n973bur-1/tr	6.7032	RFQ	3422	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n973bur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 25 V				33 V	58 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²