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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UTR4320 | 12.8400 | ![]() | 6479 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UTR4320 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 4 a | 250 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 4A | 320pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N645ur-1 | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 225 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||
Jan1n4489cus | 27.6750 | ![]() | 2729 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4489 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 80 V | 100 V | 250 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N5937CE3/TR13 | - | ![]() | 3754 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5937 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | |||||||||
![]() | Smaj5934e3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 9480 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5934 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||
![]() | Jantx1n4946/tr | 11.2650 | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/359 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4946/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||
![]() | Jantx1n5196 | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5196 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 225 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 250 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||
![]() | CDLL4761/TR | 3.2319 | ![]() | 6090 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4761/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||
![]() | HSM170GE3/TR13 | 1.0650 | ![]() | 1913 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM170 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
Jantxv1n4134d-1 | 28.9500 | ![]() | 8195 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4134 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 69.2 V | 91 V | 1200 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N6023UR-1 | 3.5850 | ![]() | 8906 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6023 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
Jans1n5809urs | 147.4800 | ![]() | 4456 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||
![]() | CDLL4901 | 29.7750 | ![]() | 2776 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4901 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n5518cur-1/tr | 32.3988 | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5518CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | ||||||||||
![]() | Jans1n4971 | 80.1900 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jan1n966bur-1/TR | 4.0831 | ![]() | 4556 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N966BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n6333cus/tr | 57.2550 | ![]() | 5539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jantxv1n6333cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 18 V | 24 V | 24 ohmios | ||||||||||||
Jantx1n4496us | 15.1950 | ![]() | 1698 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 160 V | 200 V | 1500 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n4582aur-1 | 14.1900 | ![]() | 5724 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4582 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N5934CE3/TR13 | - | ![]() | 9581 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5934 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n2820b | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2820 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 2.6 ohmios | ||||||||||
Jantxv1n5615 | 11.8350 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5615 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.6 v @ 3 a | 150 ns | 500 na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 45pf @ 12V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1 PMT5937BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5937 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | |||||||||
![]() | 1N3087R | 134.4000 | ![]() | 2766 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N3087R | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | UES1106E3 | 21.1050 | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5817/TR | 7.1550 | ![]() | 1046 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | Schottky | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5817/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 1 A | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||
Jan1n3826d-1 | 21.7350 | ![]() | 4087 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3826 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||
![]() | S306080F | 49.0050 | ![]() | 9322 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S306080F | 1 | |||||||||||||||||||||||
Jantx1n4571a-1 | 7.4100 | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4571 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n3326rb | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 3.5 ohmios |
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