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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N6025ur/TR	3.7350	RFQ	8001	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-1N6025ur/TR	EAR99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 Ma						110 V
1N4730ur-1/TR	3.6200	RFQ	4375	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	272					1.2 v @ 200 ma		50 µA @ 1 V				3.9 V	9 ohmios
Jantxv1n6942utk3cs	-	RFQ	5381	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Thinkey ™ 3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		460 MV @ 50 A		5 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	150a	7000PF @ 5V, 1MHz
1N5276B-1	2.7664	RFQ	7306	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5276B-1	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 114 V				150 V	1500 ohmios
1N4627/TR	2.4871	RFQ	4958	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4627/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V				6.2 V	1.2 ohmios
1N3046BUR-1/TR	16.2600	RFQ	8846	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.5 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	100					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 91.2 V				120 V	550 ohmios
Aptdf400ak170g	212.9600	RFQ	2524	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	LP4	Aptdf400	Estándar		Sp6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1700 V	480a	2.5 V @ 400 A	572 ns	750 µA @ 1700 V
1N5993UR-1/TR	3.7400	RFQ	9122	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 Ma						5.1 V
CDLL5248B	2.8650	RFQ	2938	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5248		10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
Jantx1n6643u/tr	6.5301	RFQ	9817	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Polaridad Inversa Estándar		B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6643U/TR	EAR99	8541.10.0070	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		75 V		1.2 V @ 100 Ma	6 ns	500 na @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300mA	5PF @ 0V, 1MHz
Jantxv1n4623ur-1	14.0400	RFQ	1089	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4623		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.3 V	1600 ohmios
Jantxv1n984c-1/tr	6.8628	RFQ	8195	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N984C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 69 V				91 V	400 ohmios
CD4110	1.3699	RFQ	9502	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4110	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 12.15 V				16 V	100 ohmios
Jantxv1n4479cus	46.2450	RFQ	6008	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4479		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 na @ 31.2 V				39 V	30 ohmios
Jantx1n754c-1	-	RFQ	5911	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Descontinuado en sic	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	5 ohmios
Jan1n6312cus	39.1350	RFQ	6732	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6312		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		5 µA @ 1 V				3.3 V	27 ohmios
1N4739PE3/TR8	0.9150	RFQ	2537	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4739		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 7 V				9.1 V	5 ohmios
CDLL6332/TR	13.1404	RFQ	1513	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL6332/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 17 V				22 V	20 ohmios
Jantxv1n942bur-1	-	RFQ	5872	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/157	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 V	30 ohmios
CDS3039B-1/TR	-	RFQ	4403	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3039B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
1N4566A/TR	4.3800	RFQ	2543	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4566A/TR	EAR99	8541.10.0050	216							2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
1N5804E3	6.9150	RFQ	3892	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Axial		Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5804E3	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
SMBG5382C/TR13	2.8650	RFQ	3388	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5382		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 101 V				140 V	230 ohmios
1N821E3	3.9150	RFQ	1387	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N821E3	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
Jans1n4978/tr	74.9802	RFQ	6669	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4978/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 51.7 V				68 V	50 ohmios
CDLL5536A/TR	5.9052	RFQ	3876	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5536A/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 13 V				16 V	100 ohmios
Jans1n6640/tr	67.7102	RFQ	4560	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/609	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar			-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n6640/tr	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 200 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	-
Jantx1n4465/tr	6.2111	RFQ	6838	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4465/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		300 na @ 8 V				10 V	5 ohmios
Jantx1n5532d-1	19.4700	RFQ	2728	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5532		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.8 V				12 V	90 ohmios
CDLL5536/TR	5.9052	RFQ	8172	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5536/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 13 V				16 V	100 ohmios

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Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²