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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n4961cus | 22.5600 |  | 9510 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4961 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | ||||||||
| Jantxv1n4988us/tr | 19.3648 | | 8160 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4988US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 136.8 V | 180 V | 450 ohmios | |||||||||
 | CDS5522B-1 | - | | 9276 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5522B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6336 | 14.6700 | | 5822 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6336 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 25 V | 33 V | 40 ohmios | ||||||||
 | Jans1n4571aur-1 | 163.6800 | | 7472 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||
 | 1N6490U/TR | 11.2784 | | 6268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6490U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n4110ur-1 | 11.2500 | | 3323 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4110 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.2 V | 16 V | 100 ohmios | ||||||||
| Jantx1n6840u3 | - | | 9248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Schottky | U3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 880 MV @ 20 A | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
| Jantxv1n4495c | 33.0000 | | 9718 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4495C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 144 V | 180 V | 1300 ohmios | ||||||||||
| CDS5232D-1 | - | | 5855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5232D-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||
| Jantx1n6319cus | - | | 7513 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 3 ohmios | |||||||||
 | 1N5527C | 3.6176 | | 3370 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5527C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n3024c-1/tr | 20.2160 | | 6445 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3024C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n5541bur-1 | 19.3500 | | 1530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5541 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | ||||||||
 | Jans1n4489 | 137.4000 | | 4916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 80 V | 100 V | 250 ohmios | ||||||||||
| 1N5537B/TR | 3.2700 | | 1829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5537B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 288 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||||
| Jans1n6487d | - | | 4255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 35 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||
| Jans1n4127d-1 | 101.3100 | | 4108 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 42.6 V | 56 V | 300 ohmios | ||||||||||
 | CDLL5533/TR | 5.9052 | | 7949 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5533/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 10.5 V | 13 V | 90 ohmios | |||||||||
| Jantx1n5534bur-1 | 14.7600 | | 2125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5534 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.6 V | 14 V | 100 ohmios | ||||||||
| CDLL5232B/TR | 2.7132 | | 2588 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5232B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||
| 1N4744CP/TR12 | 2.2800 | | 2251 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4744 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||
| 1N739A | 1.9200 | | 5910 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N739 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 110 V | 490 ohmios | ||||||||||
| 1N3024B-1 | - | | 5042 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3024 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||
| Janhca1n4118d | - | | 6694 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4118D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.45 V | 27 V | 150 ohmios | ||||||||||
| CDLL5528BE3 | 5.9052 | | 3501 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5528BE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.5 V | 8.2 V | 40 ohmios | |||||||||
 | CDLL5240 | 2.8650 | | 1287 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5240 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||
| SD51 | 69.1200 | | 7339 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | SD51MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 700 MV @ 60 A | 5 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | ||||||||
| Jan1n991b-1 | - | | 5821 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | |||||||||||
| CDLL5996 | 2.2950 | | 5576 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL5996 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |
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