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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantxv1n7052-1	11.2350	RFQ	4720	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1N4734AE3	2.9526	RFQ	5867	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4734AE3	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 2 V				5.6 V	5 ohmios
Apt2x30d30j	31.5400	RFQ	9426	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	300 V	30A	1.4 V @ 30 A	25 ns	150 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Jan1N751A-1	2.0600	RFQ	21	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N751		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	14 ohmios
1N5925Be3/TR13	-	RFQ	8646	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5925		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 V	4.5 ohmios
1N4764AG/TR	3.1654	RFQ	5450	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4764AG/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 76 V				100 V	350 ohmios
Jantx1n973bur-1/tr	6.7032	RFQ	3422	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n973bur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
Jantx1n4573aur-1/tr	24.1050	RFQ	2921	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4573aur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jans1n4122d-1	101.3100	RFQ	8666	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.4 V				36 V	200 ohmios
Mx1n5918bur-1	-	RFQ	1971	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.25 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-MX1N5918BUR-1	EAR99	8541.10.0050	100					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	4 ohmios
Jankca1n4115d	-	RFQ	7036	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4115d	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.72 V				22 V	150 ohmios
1N4112-1/TR	2.3408	RFQ	2280	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4112-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.7 V				18 V	100 ohmios
MSASC75W60F/TR	-	RFQ	2670	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC75W60F/TR			100
1N3524A	2.4900	RFQ	3962	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3524		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma						18 V	18 ohmios
Jantxv1n4462dus/tr	38.7600	RFQ	9302	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-jantxv1n4462dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		1 µA @ 4.5 V				7.5 V	2.5 ohmios
Jantx1n3155ur-1/tr	-	RFQ	5288	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n3155ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 V	15 ohmios
1N4739PE3/TR12	0.9150	RFQ	7898	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4739		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 7 V				9.1 V	5 ohmios
1N3343A	49.3800	RFQ	6879	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3343		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 91.2 V				120 V	40 ohmios
Jan1n6074	14.4150	RFQ	6670	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/503	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N6074	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		2.04 v @ 9.4 a	30 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 155 ° C	3A	-
CDLL6315	14.0250	RFQ	6632	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6315		500 MW	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				4.3 V	18 ohmios
Jan1n4981us/tr	9.3600	RFQ	9342	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-ENERO1N4981US/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 69.2 V				91 V	90 ohmios
1N6485US	25.6350	RFQ	1005	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6485		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
Jantxv1n3019b-1/tr	10.6799	RFQ	4510	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3019B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	6 ohmios
1N4120	2.4450	RFQ	7752	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N4120				descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n6332us/tr	134.9550	RFQ	8532	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jans1n6332us/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.4 v @ 1 a		50 na @ 17 V				22 V	20 ohmios
Jans1n4471us/tr	85.9004	RFQ	7360	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4471us/tr	EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n6633us	-	RFQ	9863	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 µA @ 1 V				3.6 V	2.5 ohmios
1 PMT5946AE3/TR13	0.7350	RFQ	6532	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5946		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 V	140 ohmios
Jans1n4118dur-1/tr	137.5900	RFQ	4205	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4118dur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150 ohmios
CD5535B	2.0349	RFQ	7082	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5535B	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		10 na @ 13.5 V				15 V	100 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²