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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jankca1N4099 | - |  | 4871 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCA1N4099 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.17 V | 6.8 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1n633332dus | 38.2200 | | 2982 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6332dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 17 V | 22 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N5520D/TR | 5.6850 | | 3649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5520D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 167 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N4761UR-1 | 3.4650 | | 1720 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4761ur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantxv1n3032b-1/tr | 10.6799 | | 9073 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3032B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N3042B-1/TR | 7.4214 | | 9700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3042 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3042B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
| MQSPC25 | 613.7550 | | 3491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5194ur/TR | 9.2100 | | 4256 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Sigma Bond ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | 105 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 Independiente | 70 V | 200 MMA | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 70 V | -55 ° C ~ 200 ° C | ||||||||||||||||||||
| CDS971BUR-1/TR | - | | 7393 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds971bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N991Bur-1/TR | 14.3600 | | 3073 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | |||||||||||||||||||
| UM7006CR | - | | 4574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Semental | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7006CRTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 W | 0.9pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 600V | 1ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||
| Jantx1n970b-1/tr | 2.1147 | | 1650 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N970B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N821A-1E3 | 3.9600 | | 2702 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N821A-1E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantxv1n4114dur-1 | 36.0000 | | 9188 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4114 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||||
| 1N6634US/TR | 22.9800 | | 2830 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 175 µA @ 1 V | 3.9 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||
| R2030 | 33.4500 | | 6532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R2030 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jankca1n4114d | - | | 6153 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n4114d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1n5712ubd/tr | 84.4500 | | 4932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | 150-Enero1n5712ubd/TR | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 16 V | 75 Ma | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n5811urs/tr | 25.4850 | | 7023 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | 150-JantXV1N5811urs/TR | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | MPP4206-206 | 3.6000 | | 2547 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Gigamite® | Banda | Activo | - | 0402 (1005 Métrica) | MPP4206 | 0402 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MPP4206-206 | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | 0.15pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 200V | 2.5ohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||||
| Jantxv1n3029b-1/tr | 10.6799 | | 3282 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3029B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N4692 | 4.8811 | | 4154 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4692 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 V | |||||||||||||||||
| Jantx1n4987cus/tr | 24.7500 | | 3029 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4987cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 121.6 V | 160 V | 350 ohmios | ||||||||||||||||||
 | CDLL4742/TR | 3.2319 | | 7771 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4742/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1N3039D-1/TR | 19.3515 | | 9143 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3039D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantx1n972bur-1/tr | 5.5328 | | 7975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n972bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | ||||||||||||||||
| CDLL5544A/TR | 5.9052 | | 1678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5544A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 23 V | 28 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1n4494cus/tr | 26.9100 | | 1561 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Enero1n4494cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 128 V | 160 V | 1000 ohmios | ||||||||||||||||||
 | 1N5349/TR12 | 2.6250 | | 8245 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5349 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 8.6 V | 12 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||
| Jantx1n4957dus/tr | 32.4000 | | 4621 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-JantX1N4957DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios |
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