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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4971	6.9800	RFQ	7926	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4971	5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 1 a	2 µA @ 27.4 V	36 V	11 ohmios
1N4978US	-	RFQ	8181	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4978	5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 1 a	2 µA @ 51.7 V	68 V	50 ohmios
1N3022B-1	8.1900	RFQ	2535	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3022	1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 9.1 V	12 V	9 ohmios
1N3024BUR-1	15.3000	RFQ	3865	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N3024	1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 11.4 V	15 V	14 ohmios
1N3025Bur-1	15.3000	RFQ	1708	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N3025	1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 12.2 V	16 V	16 ohmios
1N3043BUR-1	15.3000	RFQ	8789	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N3043	1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 69.2 V	91 V	250 ohmios
1N3311RA	49.3800	RFQ	2490	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3311	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 9.1 V	12 V	1 ohmios
1N3313A	49.3800	RFQ	9948	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3313	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 11.4 V	14 V	1.2 ohmios
1N3314A	49.3800	RFQ	7520	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3314	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 11.4 V	15 V	1.4 ohmios
1N3316B	49.3800	RFQ	3863	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3316	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 13 V	17 V	1.8 ohmios
1N3319A	49.3800	RFQ	7589	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3319	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 15.2 V	20 V	2.4 ohmios
1N3324B	49.3800	RFQ	8401	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3324	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 22.8 V	30 V	3 ohmios
1N3327B	49.3800	RFQ	4779	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3327	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 29.7 V	39 V	4 ohmios
1N3328A	49.3800	RFQ	3554	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3328	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 32.7 V	43 V	4.5 ohmios
1N3330RB	49.3800	RFQ	8184	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3330	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V	47 V	5 ohmios
1N3331A	49.3800	RFQ	4880	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3331	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	50 V	5 ohmios
1N3332B	49.3800	RFQ	1965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3332	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	51 V	5.2 ohmios
1N3342B	49.3800	RFQ	8203	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3342	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 83 V	110 V	30 ohmios
1N2820B	94.8900	RFQ	9657	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2820	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 18.2 V	24 V	2.6 ohmios
1N2823A	94.8900	RFQ	4211	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2823	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 22.8 V	30 V	3 ohmios
1N2826B	94.8900	RFQ	8923	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2826	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 29.7 V	39 V	4 ohmios
1N2837A	94.8900	RFQ	1986	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2837	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 69.2 V	91 V	15 ohmios
1N2838RB	96.0150	RFQ	8008	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2838	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 76 V	100 V	20 ohmios
1N2845B	-	RFQ	1922	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2845	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 136.8 V	180 V	90 ohmios
1N2988B	36.9900	RFQ	1675	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2988	10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 2 a	10 µA @ 20.6 V	27 V	7 ohmios
1N2995A	36.9900	RFQ	9843	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2995	10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 2 a	10 µA @ 35.8 V	47 V	14 ohmios
1N2999B	36.9900	RFQ	3596	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2999	10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 2 a	10 µA @ 42.6 V	56 V	16 ohmios
1N3001A	36.9900	RFQ	1520	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N3001	10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 2 a	10 µA @ 51.7 V	68 V	18 ohmios
1N3005RB	40.3200	RFQ	3244	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N3005	10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 2 a	10 µA @ 76 V	100 V	40 ohmios
1 PMT4101/TR7	0.9600	RFQ	6676	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4101	1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000	1.1 V @ 200 Ma	1 µA @ 6.24 V	8.2 V	200 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²