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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n3156ur-1 | - |  | 8978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
 | Jantx1n5189 | 14.1750 | | 3062 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/424 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | B | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n5189 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 v @ 9 a | 300 ns | 2 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||
 | Jantxv1n5546c-1/tr | 20.8544 | | 1746 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5546C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 33 V | 100 ohmios | ||||||||||||
 | Jan1n6312dus/tr | 49.0650 | | 1407 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Enero1n6312dus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 27 ohmios | ||||||||||||||
| Jantx1n758d-1/tr | 6.8362 | | 4604 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N758D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||||
 | Jantx1n5811us | 8.6700 | | 12 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N5811 | Estándar | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
 | Uz8116 | 22.4400 | | 1694 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 1 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ8116 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 121 V | 160 V | 1100 ohmios | ||||||||||||||
| 1N5227A/TR | 2.5669 | | 4110 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5227A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 15 µA @ 950 MV | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||
| 1N4566AUR-1/TR | 7.9200 | | 9307 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4566AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 120 | 2 µA @ 3 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
| MSASC100W15HS/TR | - | | 8986 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100W15HS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3045dur-1 | 46.6950 | | 7317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3045 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 V | 450 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n3017cur-1 | 37.3500 | | 3338 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3017 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||
| Jankca1n5533c | - | | 2849 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5533c | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 11.7 V | 13 V | 90 ohmios | |||||||||||||
| 1N3494 | 66.2550 | | 6954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Presiona Ajuste | DO-208AA | Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3494 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||||
| Jantxv1n6335dus/tr | 68.7000 | | 3225 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-JantXV1N6335DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 23 V | 30 V | 32 ohmios | ||||||||||||||
 | Jans1n4470c | 207.1050 | | 3350 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12.8 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||||
| 1N4742A | - | | 7372 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4742A | EAR99 | 8541.10.0050 | 302 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||||
| 1N5945CP/TR8 | 2.2800 | | 2800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5945 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 V | 120 ohmios | |||||||||||
| 1N5918CPE3/TR12 | 1.2000 | | 5503 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5918 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 4 ohmios | |||||||||||
 | 1N5749D | 4.6800 | | 7692 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5749 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 25 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||
| 1N5227 | 2.7150 | | 6429 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5227 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 15 µA @ 950 MV | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n962bur-1 | 6.0900 | | 6433 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N962 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 9.5 ohmios | |||||||||||
| Jan1n3318b | - | | 2866 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3318 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 13.7 V | 19 V | 2.2 ohmios | |||||||||||
 | 1N964B | 2.2650 | | 3082 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N964 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N964BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||||
 | Jantxv1n4468us | 19.5450 | | 6054 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4468 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.4 V | 13 V | 8 ohmios | |||||||||||
| 1N5992/TR | 3.5850 | | 1512 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5992/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 90 ohmios | |||||||||||||
| 1N2057 | 158.8200 | | 7992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2057 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||||
| Jantxv1n757cur-1/tr | 17.1437 | | 7821 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n757cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
| Jantxv1n3316rb | - | | 7024 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n3316rb | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 13 V | 17 V | 1.8 ohmios | ||||||||||||
| SBT3035A | 62.1000 | | 8626 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | SBT3035 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-SBT3035A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 45 V | 30A | 1.5 Ma @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C |
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