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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1 PMT4122C/TR13	1.2450	RFQ	2716	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4122		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.38 V				36 V	200 ohmios
1N748AUR-1/TR	3.1800	RFQ	6597	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	313					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				3.9 V	20 ohmios
Jantx1n6336	12.5550	RFQ	6947	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6336		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 25 V				33 V	40 ohmios
1N3518A	2.4900	RFQ	5408	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3518		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma						1 V	7 ohmios
1N6026UR/TR	3.7350	RFQ	3384	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-1N6026UR/TR	EAR99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 Ma						120 V
Jan1n4970cus	23.5500	RFQ	1640	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4970		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 25.1 V				33 V	10 ohmios
CDLL4704C	7.3650	RFQ	7691	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4704C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.9 V				17 V
Jantx1n6772	-	RFQ	6737	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.6 v @ 8 a	60 ns	10 µA @ 320 V	-	8A	200pf @ 5V, 1MHz
1N5542A/TR	3.2550	RFQ	5068	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5542A/TR	EAR99	8541.10.0050	290					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 20 V				24 V
ST3060A	63.3000	RFQ	8193	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	ST3060	Estándar		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150 ST3060A	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	600 V	30A		5 µs	25 µA @ 600 V	-
1N6315US/TR	12.9941	RFQ	6121	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N6315US/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V				4.3 V	20 ohmios
Jan1n4618d-1	11.8350	RFQ	8441	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4618		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 1 V				2.7 V	1500 ohmios
S2090	33.4500	RFQ	8148	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S2090			1
Uz1616/tr	69.1500	RFQ	9387	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-UZ1616/TR	EAR99	8541.10.0050	100
1N4692ur-1	5.0850	RFQ	6238	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N4692		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 Ma		10 µA @ 5.1 V				6.8 V
Jantx1n6638us	7.0050	RFQ	4209	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	Jantx1n6638usms	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		125 V		1.1 V @ 200 Ma	4.5 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	-
Jan1N751D-1	6.4950	RFQ	9599	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N751		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	17 ohmios
1N3140	245.8350	RFQ	3675	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N3140	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 v @ 200 a		50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Jans1n4961cus	343.6210	RFQ	7777	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4961cus	EAR99	8541.10.0050	1
Jan1N3307RB	-	RFQ	2054	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		50 µA @ 5.4 V				8.2 V	0.4 ohmios
SMBG5353CE3/TR13	1.4400	RFQ	9289	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5353		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5 ohmios
CDLL4679/TR	3.0989	RFQ	9078	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4679/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				2 V
Jantx1n6337c	29.2350	RFQ	8829	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6337c	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 27 V				36 V	50 ohmios
Jantx1n4974dus/tr	30.9000	RFQ	9003	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-JantX1N4974DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 35.8 V				47 V	25 ohmios
40CDQ035	78.7200	RFQ	5144	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Schottky		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150-40CDQ035	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		700 MV @ 30 A		1.5 Ma @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
CDLL5276B	3.7350	RFQ	3384	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5276			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 108 V				150 V	1500 ohmios
1N2977A	36.9900	RFQ	6378	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2977		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 9.9 V				13 V	3 ohmios
Jantxv1n982d-1	9.4800	RFQ	8075	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N982		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 56 V				75 V	270 ohmios
1N5361AE3/TR12	2.6250	RFQ	3771	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5361		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 19.4 V				27 V	5 ohmios
Jans1n5619	67.0500	RFQ	5473	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/429	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.6 v @ 3 a	250 ns		-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²