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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n4470cus/tr | 283.9800 |  | 5363 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4470cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12.8 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
 | UES1104 | 23.4000 | | 1658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | UES1104 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
 | Jantxv1n4114cur-1/tr | 25.6690 | | 1684 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4114CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||
| Janhca1n963c | - | | 6258 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N963C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 11.5 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N4107/TR | 2.3408 | | 5840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4107/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.857 V | 13 V | 200 ohmios | |||||||||||||
 | 1N5933CP/TR12 | 2.2800 | | 5842 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5933 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | ||||||||||||
 | Jans1n6348c | 358.7400 | | 8920 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6348c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 76 V | 100 V | 340 ohmios | ||||||||||||||
| S3210 | 49.0050 | | 9839 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S3210 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N965D-1/TR | 5.5328 | | 8169 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N965D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||||
| 1N3661 | 41.6850 | | 9755 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Presiona Ajuste | DO-208AA | Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3661 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||
| Jantx1n4454-1 | 1.1200 | | 930 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/144 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||
| Jantxv1n943bur-1/tr | - | | 5780 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n943bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
| 1N4576AUR-1 | 8.6250 | | 1714 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4576 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 50 ohmios | |||||||||||||||
| 1N5262Bur-1/TR | 3.0900 | | 5102 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 323 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantx1n5712ub | 59.7900 | | 7929 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 V @ 35 Ma | 150 ° C (Máximo) | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||
| Jantxv1n746cur-1/tr | 14.8295 | | 8667 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n746cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||||||
 | Jantx1n6335us/tr | 18.2400 | | 4888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-JantX1N6335US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 23 V | 30 V | 32 ohmios | |||||||||||||||
| 1N4995U/TR | 58.6200 | | 5206 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 274 V | 360 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||
| CDLL5232D/TR | 8.5950 | | 3248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5232D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | ||||||||||||||
| Jans1n4626dur-1/tr | 102.1300 | | 1558 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4626dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 5.6 V | 1.4 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n4956/tr | 6.2909 | | 4977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4956/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||
 | Jans1n4960us | 92.0400 | | 9381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4960 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
| 1N4248/TR | 4.4550 | | 3678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4248/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
| Jan1n4120ur-1 | 8.7150 | | 2473 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4120 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||||
 | 1N4470U/TR | 10.3341 | | 6314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4470U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12.8 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||||
| Jans1n6312dus | - | | 1957 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 27 ohmios | |||||||||||||
 | GC4802-14 | - | | 4133 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 2-SMD, Plano Plano | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4802-14 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.07pf @ 50V, 2.2GHz | PIN - Single | 100V | 3ohm @ 50 mm, 2.2Ghz | |||||||||||||||||
| Jans1n4976cus | 343.6210 | | 3956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4976cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| CDLL5527C/TR | 12.3900 | | 1865 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5527C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | ||||||||||||||
| Jantxv1n4624dur-1 | - | | 6751 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios |
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