SIC
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Diodos (34409)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
40CDQ035 Microchip Technology 40CDQ035 78.7200
RFQ
 ECAD 5144 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 Schottky TO-204AA (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-40CDQ035 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 700 MV @ 30 A 1.5 Ma @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
CDLL5276B Microchip Technology CDLL5276B 3.7350
RFQ
 ECAD 3384 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL5276 DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 108 V 150 V 1500 ohmios
1N2977A Microchip Technology 1N2977A 36.9900
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N2977 10 W DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 9.9 V 13 V 3 ohmios
JANTXV1N982D-1 Microchip Technology Jantxv1n982d-1 9.4800
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N982 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 56 V 75 V 270 ohmios
1N5361AE3/TR12 Microchip Technology 1N5361AE3/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5361 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19.4 V 27 V 5 ohmios
JANS1N5619 Microchip Technology Jans1n5619 67.0500
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/429 Una granela Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.6 v @ 3 a 250 ns -65 ° C ~ 200 ° C 1A -
JANTXV1N4960 Microchip Technology Jantxv1n4960 10.8750
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4960 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µA @ 9.1 V 12 V 2.5 ohmios
JANTX1N6344DUS/TR Microchip Technology Jantx1n6344dus/tr 58.0500
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-JantX1N6344DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 50 na @ 52 V 68 V 155 ohmios
1N5941AP/TR12 Microchip Technology 1N5941AP/TR12 1.8600
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5941 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
JANTXV1N989CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n989cur-1/tr -
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 400 MW DO-213AA descascar 150-JantXv1N989CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 114 V 150 V 1500 ohmios
JANTXV1N6642/TR Microchip Technology Jantxv1n6642/tr 10.3208
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/578 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Axial Estándar - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n6642/tr EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 V @ 100 Ma 20 ns 500 na @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA -
1N5274BE3 Microchip Technology 1N5274Be3 2.9260
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5274Be3 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 99 V 130 V 1100 ohmios
JANTXV1N6941UTK3AS Microchip Technology Jantxv1n6941utk3as -
RFQ
 ECAD 8232 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Thinkey ™ 3 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 50 A 5 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 175 ° C 150a 7500pf @ 5V, 1MHz
JANTXV1N5196UR/TR Microchip Technology Jantxv1n5196ur/tr -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/118 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Estándar DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantxv1n5196ur/TR EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 225 V 1 V @ 100 Ma -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JANTX1N4627CUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4627cur-1/tr 24.4055
RFQ
 ECAD 2273 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4627CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 5 V 6.2 V 1200 ohmios
JANTX1N6314US Microchip Technology Jantx1n6314us 21.1200
RFQ
 ECAD 9103 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, B 1N6314 500 MW B, SQ-Melf - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
1N3175R Microchip Technology 1N3175R 216.8850
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3175 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3175RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.25 V @ 240 A 75 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C 240a -
JANS1N4127DUR-1 Microchip Technology Jans1n4127dur-1 147.2700
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 42.6 V 56 V 300 ohmios
1N3910A Microchip Technology 1N3910A 48.5400
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N3910 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.4 V @ 50 A 200 ns 15 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 50A -
1N482B Microchip Technology 1N482B 3.9300
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N482 Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 25 na @ 30 V -65 ° C ~ 200 ° C 200 MMA -
1N1191A Microchip Technology 1N1191A 75.5700
RFQ
 ECAD 4047 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N1191 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.19 v @ 90 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 40A -
1N2982RBE3 Microchip Technology 1N2982RBE3 40.7700
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 Tecnología de Microchip - Banda Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N2982 10 W DO-203AA (DO-4) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 13.7 V 18 V 4 ohmios
1N4734UR-1/TR Microchip Technology 1N4734UR-1/TR 3.8000
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - EAR99 8541.10.0050 258 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 2 V 5.6 V 5 ohmios
JANTX1N6335 Microchip Technology Jantx1n6335 12.4350
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero B, axial 500 MW B, axial - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 23 V 30 V 32 ohmios
CDLL5255D Microchip Technology CDLL5255D 8.4150
RFQ
 ECAD 3237 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 10 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5255D EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 28 V 44 ohmios
1PMT4131CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4131CE3/TR7 0.4950
RFQ
 ECAD 8218 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt4131 1 W DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 57 V 75 V 250 ohmios
1PMT5946/TR13 Microchip Technology 1 PMT5946/TR13 2.2200
RFQ
 ECAD 1496 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5946 3 W DO-216AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 140 ohmios
JAN1N5520DUR-1 Microchip Technology Jan1n5520dur-1 46.2900
RFQ
 ECAD 8377 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N5520 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 1 V 3.9 V 22 ohmios
JAN1N5529DUR-1/TR Microchip Technology Jan1N5529Dur-1/TR 41.1768
RFQ
 ECAD 3782 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1n5529dur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 8.2 V 9.1 V 45 ohmios
CDLL3034 Microchip Technology CDLL3034 15.3000
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 20% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3034 1 W DO-213AB - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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