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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV55-B15,115 | - |  | 8767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX884-B15315 | - | | 5201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||
 | BZV90-C5V1135 | - | | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| NZX15C, 133 | 0.0200 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX1 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||
 | BYV32E-100,127 | 0.5400 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYV32 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
 | PZM18NB3,115 | - | | 6232 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM18 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 70 na @ 13 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N4747A, 113 | 0.0400 | | 290 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
 | BB135,115 | 0.4500 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BB135 | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.1pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 12 | C0.5/C28 | - | ||||||||||||||
 | BZV85-C4V7,113 | 0.0400 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1PS76SB70,115 | 0.0400 | | 87 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS76 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | BAS16W, 135 | 0.0200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAS16 | Estándar | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 175 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||
 | PZU3.6BA, 115 | 0.0300 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V0/LF1R | - | | 8857 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C3V0 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069469215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||
 | PMEG6020ETP, 115 | 0.1000 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | PMEG6020 | Schottky | SOD-128/CFP5 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 530 MV @ 2 A | 8.6 ns | 150 µA @ 60 V | 175 ° C (Máximo) | 2A | 240pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | 1N4148,113 | - | | 2136 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | ALF2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | 200 ° C (Max) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
 | NZH12B, 115 | - | | 8751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZH1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C62115 | - | | 9742 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4448,143 | - | | 2857 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N44 | Estándar | ALF2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | 200 ° C (Max) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
 | BZX284-B47,115 | - | | 9422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
| BZX84-B30,215 | - | | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX284-C75,115 | - | | 5614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 175 ohmios | ||||||||||||||
 | BAL99/DG/B2215 | 0.0200 | | 345 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||
| BZX79-B12,133 | - | | 2105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C75143 | 0.0200 | | 4739 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C11,135 | - | | 2201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 µA @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
| NZH15B, 115 | 0.0300 | | 738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZH1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| BAT721A, 215 | 0.0700 | | 458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAT72 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C15135 | - | | 6479 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
 | BZB784-C9V1,115 | 0.0300 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB784 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| BAT854W, 115 | 0.0300 | | 4422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAT85 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 |
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