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Diodos (1956)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
PDZ8.2B/ZLX	-	RFQ	5757	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo					PDZ8.2				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934069114115	EAR99	8541.10.0050	3.000
PRLL4001,115	-	RFQ	9868	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Sod-87	PRLL40	Estándar		Asignar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	-	-
NZX24X, 133	0.0200	RFQ	105	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					NZX2				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000
1N4448,143	-	RFQ	2857	NXP USA Inc.	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N44	Estándar		ALF2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 100 Ma	4 ns	25 na @ 20 V	200 ° C (Max)	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
BZV90-C3V6,115	-	RFQ	2795	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZV90				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000
BAS40-04/ZLR	-	RFQ	2705	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23 (TO-236AB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	40 V	120 mA (DC)	1 V @ 40 Ma		10 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)
PZM3.9NB, 115	-	RFQ	9779	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM3.9		300 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 100 Ma		3 µA @ 1 V						3.9 V	90 ohmios
BZX84-B11,235	0.0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	Sot-23	descascar					EAR99	8541.10.0050	15,000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar					EAR99	8541.10.0050	1
BB187,115	-	RFQ	4160	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BB18			Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000										2.92pf @ 25V, 1MHz	Soltero	32 V			11	C2/C25	-
PZM12NB1,115	-	RFQ	8936	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM12		300 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 100 Ma		100 na @ 9 V						12 V	10 ohmios
PMEG3005EB115	-	RFQ	9127	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	PMEG3005	Schottky		Sod-523	descascar					EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 500 Ma		500 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)	500mA	30pf @ 1v, 1 MHz
BZV55-B15,115	-	RFQ	8767	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZV55				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500
BZX84-B39,215	0.0200	RFQ	603	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX84				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000
PZM3.6NB2,115	-	RFQ	8384	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM3.6		300 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 100 Ma		5 µA @ 1 V						3.6 V	90 ohmios
BZX79-C5V1,143	0.0200	RFQ	131	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V						5.1 V	60 ohmios
BZX284-B11,115	-	RFQ	7551	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD -10	BZX284		400 MW	SOD -10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 100 Ma		100 na @ 8 V						11 V	10 ohmios
BZX84-C10,235	-	RFQ	2160	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX84				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000
BZB784-C2V4,115	0.0300	RFQ	23	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZB784				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000
By229-600,127	-	RFQ	5772	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	BY22	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.85 V @ 20 A	135 ns	400 µA @ 500 V	150 ° C (Máximo)	8A	-
BY329-1500S, 127	-	RFQ	2354	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	32	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1500 V		1.6 V @ 6.5 A	160 ns	250 µA @ 1300 V	150 ° C (Máximo)	6A	-
PZU5.6BL315	-	RFQ	3584	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido				1					1.1 V @ 100 Ma		1 µA @ 2.5 V						5.6 V	40 ohmios
BYC58X-600,127	0.6300	RFQ	910	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BYC58				descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50
BAS16/DG/B4215	0.0200	RFQ	5090	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BAS16				descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	5.800
BZV55-B43,115	-	RFQ	8000	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZV55				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500
PZM22NB1,115	-	RFQ	1630	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM22		300 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 100 Ma		70 na @ 17 V						22 V	25 ohmios
PMEG045V150EPD139	0.3600	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0080	1
BZX585-B68,115	0.0400	RFQ	9	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX585				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000
BYD77B, 115	-	RFQ	4800	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Sod-87	BYD77	Avalancha		Asignar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		980 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	850 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
BZX84-C22/LF1R	-	RFQ	2440	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C22		250 MW	SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934069449215	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 15.4 V						22 V	55 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1956)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²