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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PZU3.6B2,115 | - |  | 9289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU3.6 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
 | BZX84-A2V7,215 | 0.1100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
 | BZX84-C11,235 | 0.0200 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||
| BZX84-C3V9,215 | 0.0200 | | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
 | BZX84-C33,215 | 1.0000 | | 5847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||
 | BZX884-B8V2,315 | - | | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||
 | BZX84-C33/DG/B3215 | 0.0700 | | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.800 | |||||||||||||||
 | BZT52H-C2V7,115 | 0.0200 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
| BZX84-B16,215 | 0.0200 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
 | BZX79-C4V3,133 | 0.0200 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||
| BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
 | BZV90-C24,115 | 0.1700 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.745 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||
| BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||
 | BZX384-C22,115 | - | | 7085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1.0000 | | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||
| BZB984-C4V3,115 | 0.0400 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB984 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | ||||||||||||
| BZX884-C4V3315 | - | | 6967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
 | BZX79-C2V7,133 | 0.0200 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||
 | PZU24B3A, 115 | 0.0300 | | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 19 V | 24 V | 30 ohmios | |||||
 | BZX79-C13,143 | 0.0200 | | 375 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | |||||
 | BZX79-B22,143 | 0.0200 | | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | |||||
| BZX79-B24143 | 0.0200 | | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
 | BZX585-B6V8,135 | - | | 7620 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||
 | BZX884-B36,315 | - | | 7820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | |||||
 | BZV49-C3V3,115 | - | | 7991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV49 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||
| BZX884-B3V0,315 | 1.0000 | | 8176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||
 | PDZ5.1B145 | - | | 1365 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
| PZU9.1B, 115 | - | | 3096 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU9.1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||
| NZX36X, 133 | 0.0200 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||
| PZU15B, 115 | 0.0300 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU15 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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