SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
BB172X NXP USA Inc. Bb172x 0.5300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BB172 Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 2.754pf @ 28V, 1MHz Soltero 32 V 15 C1/C28 -
BZV49-C6V8,115 NXP USA Inc. BZV49-C6V8,115 -
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZV49 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000
PZU5.1B1,115 NXP USA Inc. PZU5.1B1,115 0.0400
RFQ
ECAD 230 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PZU5.1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000
PZU2.7B2A,115 NXP USA Inc. PZU2.7B2A, 115 -
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 320 MW Sod-323 descascar EAR99 8541.10.0050 2.850 1.1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
BZX79-B47133 NXP USA Inc. BZX79-B47133 0.0200
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0050 1
BZX84-C2V7/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C2V7/LF1R -
RFQ
ECAD 6270 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C2V7 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069454215 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
BYC8X-600,127 NXP USA Inc. BYC8X-600,127 0.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar Un 220F descascar EAR99 8541.10.0080 630 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 8 a 52 ns 150 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 8A -
BZX84-B22/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-B22/DG/B3215 0.0200
RFQ
ECAD 114 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000
PMEG3005AEA/ZL115 NXP USA Inc. PMEG3005AEA/ZL115 -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMEG3005 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000
BAT54A/6235 NXP USA Inc. BAT54A/6235 0.0300
RFQ
ECAD 210 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BAT54 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 30 V 200MA (DC) 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C (Máximo)
BZX384-B20,115 NXP USA Inc. BZX384-B20,115 0.0200
RFQ
ECAD 775 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX384 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000
BZX79-B30,113 NXP USA Inc. BZX79-B30,113 0.0200
RFQ
ECAD 7052 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 21 V 30 V 80 ohmios
PZM4.7NB1,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB1,115 -
RFQ
ECAD 2415 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PZM4.7 300 MW Smt3; Mpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 4.7 V 80 ohmios
BYC5D-500,127 NXP USA Inc. BYC5D-500,127 0.2900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC descascar EAR99 8541.10.0080 760 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 2 V @ 5 A 16 ns 40 µA @ 500 V 150 ° C (Máximo) 5A -
PZU5.6BA115 NXP USA Inc. PZU5.6BA115 -
RFQ
ECAD 5049 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0050 1
BZX384-C13,115 NXP USA Inc. BZX384-C13,115 -
RFQ
ECAD 7215 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX384 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000
BZX79-B8V2,133 NXP USA Inc. BZX79-B8V2,133 0.0200
RFQ
ECAD 163 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
BZB84-B51,215 NXP USA Inc. BZB84-B51,215 0.0300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23 descascar EAR99 8541.10.0050 11,823 1 par Ánodo Común 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
BZX84-B9V1/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-B9V1/DG/B3215 0.0200
RFQ
ECAD 8574 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 6,000
BAS56/DG/B2235 NXP USA Inc. BAS56/DG/B2235 0.0400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 10,000
BZX79-C27,113 NXP USA Inc. BZX79-C27,113 -
RFQ
ECAD 8303 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX79 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000
BZX79-B24,113 NXP USA Inc. BZX79-B24,113 0.0200
RFQ
ECAD 111 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
1PS70SB10,115 NXP USA Inc. 1PS70SB10,115 0.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo 1PS70 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000
BZX84-C3V3/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C3V3/LF1R -
RFQ
ECAD 4827 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C3V3 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069473215 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
BZX84-C7V5/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C7V5/LF1VL -
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C7V5 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069506235 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
BZV55-B16,115 NXP USA Inc. BZV55-B16,115 0.0200
RFQ
ECAD 431 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Llds; Mínimo descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
1PS75SB45,115 NXP USA Inc. 1PS75SB45,115 -
RFQ
ECAD 6005 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 1PS75 Schottky SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 40 V 120 mA (DC) 1 V @ 40 Ma 10 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
BZX84-C47/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C47/LF1R -
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C47 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069483215 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 32.9 V 47 V 170 ohmios
BZT52H-B15,115 NXP USA Inc. BZT52H-B15,115 0.0200
RFQ
ECAD 71 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montaje en superficie SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F descascar EAR99 8541.10.0050 15,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 15 ohmios
BY359X-1500S,127 NXP USA Inc. BY359X-1500S, 127 -
RFQ
ECAD 6768 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Por 35 Estándar Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1500 V 2 V @ 20 A 350 ns 100 µA @ 1300 V 150 ° C (Máximo) 7A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock