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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bas45al, 115 | 0.0700 |  | 318 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS45 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PZM5.6NB2,115 | - | | 1765 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM5.6 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,000 | 1.1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||
 | BZV85-C47,133 | 0.0400 | | 104 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PZM3.0NB2A, 115 | - | | 9615 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 4% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.0 | 220 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||
 | BZX284-C27,115 | - | | 6284 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||
 | PZU5.1BA, 115 | - | | 3758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU5.1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAT85,113 | 0.0500 | | 26 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAT85 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PZU2.7B2,115 | - | | 8914 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU2.7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C4V3,143 | 0.0200 | | 199 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1PS59SB20,115 | - | | 2219 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS59 | Schottky | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 500 Ma | 100 µA @ 35 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 90pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||
| PZM7.5NB3,115 | - | | 2881 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM7.5 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 4 V | 7.5 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
| NZX5V6C, 133 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX5 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAT74V/DG115 | 0.0500 | | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C11,115 | - | | 1419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PZU14DB2,115 | 0.0300 | | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 250 MW | 5-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 11 V | 14 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
 | BAS40-06/ZLVL | - | | 6516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||
| BZB784-C5V1,115 | 0.0300 | | 6710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB784 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BZB984-C9V1,115 | - | | 1807 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||||||
| NZX3V0A, 133 | 0.0200 | | 89 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PZU91B1115 | 0.0300 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ13B/ZLF | - | | 9816 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Activo | PDZ13 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069118135 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| PZU18B3A115 | 0.0200 | | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG2010BEV, 115 | 0.0500 | | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Schottky | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.542 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 80pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
 | NZH3V6B, 115 | 0.0300 | | 61 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZH3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BYV34-500,127 | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYV34 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAS316/DG/B4115 | - | | 4830 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAP51-02,115 | 0.4400 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BAP51 | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 Ma | 715 MW | 0.35pf @ 5V, 1MHz | PIN - Single | 60V | 2.5ohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||||
| BA891,115 | 0.3600 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA89 | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 715 MW | 0.9pf @ 3V, 1 MHz | Estándar - Single | 35V | 500mohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||||
| BAS316,135 | - | | 4226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS31 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAS16/LF1215 | 0.0200 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS16 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 |
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