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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYD17G, 115 | - |  | 9138 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-87 | BYD17 | Avalancha | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.05 v @ 1 a | 3 µs | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 21pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
 | BZV55-C8V2,135 | 0.0200 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
 | BZB84-C5V6,215 | 0.0200 | | 6363 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | Pmeg6010esbyl | 0.0400 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 2-xdfn | PMEG6010 | Schottky | DSN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,126 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 730 MV @ 1 A | 2.4 ns | 30 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 20pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
 | PZM7.5NB1,115 | - | | 9696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM7.5 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,000 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 4 V | 7.5 V | 10 ohmios | |||||||||||
 | PZU13B2A, 115 | - | | 9845 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | PZU13 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
 | 1PS59SB20,115 | - | | 2219 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS59 | Schottky | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 500 Ma | 100 µA @ 35 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 90pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
| PZM3.0NB2A, 115 | - | | 9615 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 4% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.0 | 220 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||
| Byd17j, 115 | - | | 5208 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-87 | BYD17 | Avalancha | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 1 a | 3 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 21pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
 | BZX585-B3V3,115 | - | | 8629 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| BAS40-06/ZLVL | - | | 6516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
 | BZX585-C2V7135 | 1.0000 | | 2200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B27,115 | - | | 3046 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | PMEG2010EPASX | 0.0800 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | Schottky | DFN2020D-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.699 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 375 MV @ 1 A | 50 ns | 335 µA @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 175pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | BYC5-600P127 | 0.3600 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| PMEG6010AESBC315 | 0.0500 | | 883 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG6010 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-A3V0,215 | 0.1100 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.681 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||
| 1PS193,115 | - | | 2954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS19 | Estándar | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
| BZX79-B4V7,133 | 0.0200 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
 | BAS16J/SG115 | 1.0000 | | 6184 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS16 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 500 µA @ 80 V | ||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C27/L115 | 1.0000 | | 7097 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | PMEG4002ESF315 | 1.0000 | | 2327 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | ||||||||||||||||||||||
 | BY29X-200,127 | - | | 1052 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | BY22 | Estándar | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.85 V @ 20 A | 135 ns | 400 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||||||
| BZX84J-C9V1,115 | 1.0000 | | 1823 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
| BZB84-B10,215 | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
| BZB84-C3V3,215 | - | | 3250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||
| BZX84-A51,215 | 0.1100 | | 94 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B30 | - | | 3537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C13,215 | 0.0200 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B39,115 | - | | 3184 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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