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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84-B4V3,235 | 0.0200 |  | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V6,143 | 0.0200 | | 335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33/LF1R | - | | 5548 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C33 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069463215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||
 | BZX585-B8V2,115 | - | | 9189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B10/LF1VL | - | | 3084 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B10 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069514235 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||
| BZX84-C10,215 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 18,560 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||
| BZX84-C20,235 | 0.0200 | | 165 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB784-C5V1,115 | 0.0300 | | 6710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB784 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Byq28ed-200,118 | 0.2600 | | 301 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYQ28 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C75215 | - | | 8545 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4749A, 113 | - | | 6614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B2V7,133 | 0.0200 | | 120 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV20143 | 0.0200 | | 175 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B5V1,115 | - | | 4161 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C5V6,135 | - | | 9070 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,000 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||
| BZX79-C20,133 | - | | 7348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP50-03,115 | - | | 7259 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | BAP50 | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 Ma | 500 MW | 0.35pf @ 5V, 1MHz | PIN - Single | 50V | 5ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| 1PSSB23125 | - | | 9149 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PSSB23 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| BAS21/MI215 | - | | 3283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS21 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU24B3,115 | 0.0400 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU24 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BAV199,215 | 1.0000 | | 3260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV199 | Estándar | Sot-23 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 75 V | 160 Ma (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||
 | 1PS70SB15,115 | 0.0300 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS70 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C12,113 | 0.0200 | | 351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B15,215 | 1.0000 | | 9395 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||
| BZX84J-B27,115 | - | | 3046 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PRLL5817,115 | - | | 3310 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-87 | PRLL58 | Schottky | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 1 A | 1 ma @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 1A | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | PZM3.0NB2A, 115 | - | | 9615 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 4% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.0 | 220 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||
| BZT52H-C24,115 | 0.0200 | | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B6V8,115 | - | | 6927 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | PZU4.7BL315 | 0.0300 | | 4743 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,240 |
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