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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55-B2V7,115 | - | ![]() | 7094 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B2V7,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZV55-C30,115 | 0.0200 | ![]() | 248 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C30,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C13,115 | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84J-C13,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C27,113 | 0.0200 | ![]() | 520 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C27,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | NZX6V2C133 | - | ![]() | 8589 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Nzx | Una granela | Activo | ± 2.42% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-NZX6V2C133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.15 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PZU27B, 115 | 0.0300 | ![]() | 1401 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pzu27b, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 21 V | 27 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZB84-B3V3,215 | - | ![]() | 8942 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B3V3 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C11,115 | - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZV49 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1 W | Sot-89 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZV49-C11,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B24,115 | 0.0200 | ![]() | 227 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B24,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C4V3,115 | - | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | BZX84J-C4V3 | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B62,133 | - | ![]() | 1934 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79-B62 | 400 MW | ALF2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 215 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B56,113 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B56,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 39.2 V | 56 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG150G20elpx | - | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Estándar | SOD-128/CFP5 | - | 2156-PMEG150G20ELPX | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 850 MV @ 2 A | 14 ns | 30 na @ 150 V | 175 ° C | 2a | 70pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C62,115 | 1.0000 | ![]() | 3685 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX384-C62,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 215 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BZV85-C13,113 | 0.0400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C13,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 na @ 9.1 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BB181,135 | - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Sod-523 | - | 2156-BB181,135 | 1 | 1.055pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 14 | C0.5/C28 | - | ||||||||||||||||||||
![]() | PMBD914,215 | 0.0200 | ![]() | 191 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBD914 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMBD914,215-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | BZB84-B33,215 | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B33 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C33,115 | 0.0200 | ![]() | 304 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C33,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C22,113 | - | ![]() | 8054 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C22,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 700 mv | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A43,215 | 0.1100 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-A43,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B56,115 | - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 39.2 V | 56 V | 120 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | NZX7V5D, 133 | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | NZX7V5 | 500 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PZU20B1A, 115 | 0.0300 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU20B1A, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 15 V | 20 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BYC20X-600P127 | 0.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-byc20x-600p127-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C62,115 | 0.0200 | ![]() | 165 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C62,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 140 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BZB784-C5V6,115 | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 350 MW | Sot-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C16,315 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX884-C16,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-C62,113 | 0.0200 | ![]() | 429 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C62,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 215 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C5V6,113 | 0.0400 | ![]() | 568 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C5V6,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.6 V | 7 ohmios |
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