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Diodos (545)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZX84-B12,215	0.0200	RFQ	105	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-B12,215-954			1						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V				12 V	25 ohmios
BZV85-C8V2,133	0.0300	RFQ	66	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C8V2,133-954			1						1 V @ 50 Ma		700 na @ 5 V				8.2 V	5 ohmios
PZU24BA, 115	0.0300	RFQ	124	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW	Sod-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU24BA, 115-954			1						1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 19 V				24 V	30 ohmios
BZV55-C5V1,115	0.0200	RFQ	84	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C5V1,115-954			1						900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 V	60 ohmios
1N4740A, 133	0.0300	RFQ	83	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1N4740A, 133-954			1
BAS40-04,215	0.0200	RFQ	2929	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BAS40				-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BAS40-04,215-954			13,000
BZX79-B5V6,133	0.0200	RFQ	155	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B5V6,133-954			1						900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V				5.6 V	40 ohmios
Pzu4.7b, 115	0.0300	RFQ	14	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW	Sod-323f	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-Pzu4.7b, 115-954	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 100 Ma		2 µA @ 1 V				4.66 V	80 ohmios
PMEG045T150EPDAZ	0.3600	RFQ	92	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky		CFP15	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG045T150EPDAZ-954	EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		550 MV @ 15 A	20 ns	100 µA @ 45 V	175 ° C (Máximo)	15A	800pf @ 10V, 1 MHz
BZB84-C62,215	1.0000	RFQ	8473	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C62		300 MW	To-236ab	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 43.4 V				62 V	215 ohmios
BZV55-C9V1,115	-	RFQ	8169	Semiconductorores nxp	BZV55	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			400 MW	Llds; Mínimo	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZV55-C9V1,115-954			1						900 MV @ 10 Ma		500 na @ 6 V				9.05 V	15 ohmios
PZU5.6B3,115	0.0300	RFQ	4529	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW	Sod-323f	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU5.6B3,115-954	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 100 Ma		1 µA @ 2.5 V				5.6 V	40 ohmios
TDZ5V6J, 115	0.0300	RFQ	63	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	TDZ5V6		500 MW	Sod-323f	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-TDZ5V6J, 115-954			10,414						1.1 V @ 100 Ma		10 µA @ 2.5 V				5.6 V	40 ohmios
BZB784-C13,115	0.0300	RFQ	69	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			180 MW	Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZB784-C13,115-954			1	1 par Ánodo Común					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V				13 V	30 ohmios
BZX884-B24,315	-	RFQ	1145	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZX884-B24,315-954			1						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 16.8 V				24 V	70 ohmios
BZV85-C13,133	0.0300	RFQ	123	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C13,133-954			1						1 V @ 50 Ma		200 na @ 9.1 V				13 V	10 ohmios
PDZ20B, 115	0.0200	RFQ	99	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			400 MW	Sod-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDZ20B, 115-954			1						1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 15 V				20 V	20 ohmios
PMEG100T20elpx	-	RFQ	3587	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-128		Schottky		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG100T20ELPX			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		800 MV @ 2 A	12 ns	1.25 µA @ 100 V	175 ° C	2a	200pf @ 1v, 1 MHz
BAS70-07V, 115	-	RFQ	9923	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	BAS70	Schottky		Sot-666	descascar						0000.00.0000	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	2 Independientes	70 V	70MA (DC)	1 V @ 15 Ma		10 µA @ 70 V	150 ° C (Máximo)
BAS101,215	-	RFQ	9960	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas101,215-954			1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		300 V		1.1 V @ 100 Ma	50 ns	150 na @ 250 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
BZX79-C75,113	0.0200	RFQ	708	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C75,113-954			1						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv				75 V	255 ohmios
PZU4.3B2,115	-	RFQ	2424	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW	SC-90	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PZU4.3B2,115-954			1						1.1 V @ 100 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 V	90 ohmios
BZX84-C6V8,235	0.0200	RFQ	25	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C6V8,235-954			1						900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	15 ohmios
BZX884-C10,315	0.0300	RFQ	3	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX884-C10,315-954			1						900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V				10 V	10 ohmios
BZB84-B3V9,215	-	RFQ	1884	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B3V9		300 MW	To-236ab	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V				3.9 V	90 ohmios
BZX79-B2V7,143	0.0200	RFQ	80	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B2V7,143-954			1						900 MV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios
BZB84-B4V3215	-	RFQ	4379	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	To-236ab	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZB84-B4V3215-954			1						900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 V	90 ohmios
BZV55-B5V6,115	0.0200	RFQ	547	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar			Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B5V6,115-954	EAR99	8541.10.0070	1						900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V				5.6 V	40 ohmios
BZT52H-B16,115	-	RFQ	2958	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F			375 MW	SOD-123F	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZT52H-B16,115-954			1						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 11.2 V				16 V	20 ohmios
BZB84-C2V4,215	-	RFQ	2536	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C2V4		300 MW	To-236ab	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común					900 MV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V				2.4 V	100 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²