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Diodos (545)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
PZU20B2A, 115	-	RFQ	5308	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW	Sod-323	descascar					0000.00.0000	1					1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 15 V				20 V	20 ohmios
TDZ22J, 115	0.0300	RFQ	42	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	TDZ22		500 MW	Sod-323f	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-TDZ22J, 115-954			10,414					1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 15.4 V				22 V	25 ohmios
BZX79-C56,113	0.0200	RFQ	400	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C56,113-954			1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 39.2 V				56 V	200 ohmios
BZV55-C3V0,115	0.0200	RFQ	210	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C3V0,115-954			1					900 MV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V				3 V	95 ohmios
BZV55-C4V7,135	0.0200	RFQ	18	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C4V7,135-954			18,104					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V				4.7 V	80 ohmios
BZX585-C51,115	1.0000	RFQ	8366	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BZX585-C51		300 MW	Sod-523	descascar					0000.00.0000	1					1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 35.7 V				51 V	180 ohmios
PMEG2010EPASX	0.0900	RFQ	27	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-udfn almohadilla exposición		Schottky		DFN2020D-3	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG2010EPASX-954	EAR99	8541.10.0080	3.699	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		375 MV @ 1 A	50 ns	335 µA @ 20 V	150 ° C (Máximo)	1A	175pf @ 1V, 1 MHz
BZX84-C33,215	0.0200	RFQ	295	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C33,215-954			1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V				33 V	80 ohmios
BZX884-B27315	0.0300	RFQ	479	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar				EAR99	8541.10.0050	1
BAS28,215	0.0300	RFQ	799	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BAS28	Estándar		Sot-143b	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas28,215-954			1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	75 V	215MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	1 µA @ 75 V	150 ° C (Máximo)
BZX384-B4V7,115	-	RFQ	3698	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384		300 MW	Sod-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX384-B4V7,115-954			1					1.1 V @ 100 Ma		3 µA @ 2 V				4.7 V	80 ohmios
BAV99W, 115	-	RFQ	2469	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, BAV99	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAV99	Estándar		Sot-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BAV99W, 115-954			1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	100 V	150 mA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (Máximo)
BAS40-07V, 115	0.0600	RFQ	842	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BAS40				descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BAS40-07V, 115-954			5.293
1N4738A, 133	0.0400	RFQ	132	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1N4738A, 133-954	EAR99	8541.10.0050	1
BZX79-C56,143	0.0200	RFQ	367	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C56,143-954			1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 39.2 V				56 V	200 ohmios
BZX84-C30,215	0.0200	RFQ	50	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C30,215-954			1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 21 V				30 V	80 ohmios
BZV55-B33,115	0.0200	RFQ	207	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B33,115-954			1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V				33 V	80 ohmios
BZX79-C3V3,113	0.0200	RFQ	354	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C3V3,113-954			1					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V				3.3 V	95 ohmios
BZT52H-C4V3,115	0.0200	RFQ	102	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C4V3,115-954			1					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 V	95 ohmios
BZX84-B16,215	0.0200	RFQ	26	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-B16,215-954	EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 11.2 V				16 V	40 ohmios
BZV55-C75,115	0.0200	RFQ	55	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C75,115-954			1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 52.5 V				75 V	255 ohmios
BZX79-C10,133	0.0200	RFQ	240	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C10,133-954			1					900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V				10 V	20 ohmios
BZX84J-B20,115	0.0300	RFQ	12	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			550 MW	Sod-323f	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84J-B20,115-954			1					1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 14 V				20 V	20 ohmios
BZX79-C75143	0.0200	RFQ	185	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar				EAR99	8541.10.0050	1
BZX79-B3V6,133	0.0200	RFQ	88	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B3V6,133-954			1					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V				3.6 V	90 ohmios
BZV55-C56,115	0.0200	RFQ	37	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C56,115-954	EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 39.2 V				56 V	200 ohmios
BAV99/8,235	-	RFQ	5453	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BAV99				descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BAV99/8,235-954			1
BZV90-C6V2,115	0.1600	RFQ	4	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			1.5 W	SOT-223	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV90-C6V2,115-954			1					1 V @ 50 Ma		3 µA @ 4 V				6.2 V	10 ohmios
BZV85-C22,133	0.0300	RFQ	60	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C22,133-954			1					1 V @ 50 Ma		50 na @ 15.5 V				22 V	25 ohmios
PMEG2015EA115	-	RFQ	9032	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323		Schottky		Sod-323	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		660 MV @ 1.5 A		50 µA @ 15 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1.5a	25pf @ 5V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²