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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAV102,115 | 0.0300 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BAV102,115-954 | 11,357 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 250 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | PZU4.3B2A, 115 | - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu4.3b2a, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BB131,115 | 0.1000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Sod-323 | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BB131,115 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.055pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 16 | C0.5/C28 | - | ||||||||||||||||
![]() | BAT46WH, 115 | 1.0000 | ![]() | 6908 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | descascar | 0000.00.0000 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 250 Ma | 5.9 ns | 9 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 39pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NZX13A, 133 | 0.0200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX13A, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | TDZ27J, 115 | 1.0000 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ27 | 500 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ27J, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 40 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C18,113 | 0.0400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C18,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 12.5 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C15,215 | 1.0000 | ![]() | 6356 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB84-C15,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V9,143 | 0.0200 | ![]() | 245 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C3V9,143-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-C5V6,143 | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79-C5V6 | 400 MW | ALF2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005AEL, 315 | 0.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sod-882 | Schottky | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG2005AEL, 315-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 440 MV @ 500 Ma | 1.5 Ma @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 25pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BZV85-C9V1,113 | 0.0400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C9V1,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 700 na @ 6.5 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BAP70-02/AX | 0.2300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | - | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BAP70-02/AX-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B43,115 | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B43,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V0,133 | 0.0200 | ![]() | 409 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C3V0,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V3,133 | 0.0200 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C3V3,133-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BAS16GW115 | 1.0000 | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAS16 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B5V6,113 | 0.0200 | ![]() | 281 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B5V6,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C2V4,115 | 1.0000 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | BZB984-C2V4 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B75,115 | - | ![]() | 5152 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B75,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Baw56sraz | 0.0300 | ![]() | 6639 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Baw56 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Baw56sraz-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2B, 115 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu6.2b, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 3 V | 6.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | RD6.2FM (01) -T1 -AZ | - | ![]() | 3520 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | Mini Moho de 2 Potencias | - | 2156-RD6.2FM (01) -T1-AZ | 1 | 20 µA @ 3 V | 6.2 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 287 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C6V8,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B9V1,133 | 1.0000 | ![]() | 9762 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79-B9V1 | 400 MW | ALF2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B30,215 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB84-B30,215-954 | 11,823 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BZB984-C3V3,115 | 0.0400 | ![]() | 5822 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | |||||||||||||||
![]() | TDZ5V6J135 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Obsoleto | ± 1.96% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ5V6 | 500 MW | Sod-323f | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ5V6J135 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,414 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||
![]() | PZU24B2A, 115 | 1.0000 | ![]() | 3445 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | PZU24 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 19 V | 24 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C13,115 | 0.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV90-C13,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios |
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