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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55-C24,135 | 0.0200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C24,135-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 700 mv | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | PZU11B3,115 | 0.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU11B3,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | BZX79-B4V3,113 | 0.0200 | ![]() | 140 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B4V3,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | PZU22B2,115 | 0.0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU22B2,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 17 V | 22 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX79-B15143 | - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX79 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX79-B15143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | PMEG4002AESFYL | 0.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | Schottky | DSN0603-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG4002AESFYL-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 525 MV @ 200 Ma | 1.25 ns | 80 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 18pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
![]() | BAS16,235 | 0.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Bas16,235-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4531133 | - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Estándar | Do-34 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | 200 ° C (Max) | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZT52H-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C6V8,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAS16GW115 | 1.0000 | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAS16 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C6V2,315 | - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX884-C6V2,315-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | BAS16,215 | - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Bas16,215-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAV102,115 | 0.0300 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BAV102,115-954 | 11,357 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 250 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV85-C18,113 | 0.0400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C18,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 12.5 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||||
![]() | BAS321115 | 1.0000 | ![]() | 1886 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6010CEH, 115 | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | PMEG6010 | Schottky | SOD-123F | - | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-PMEG6010CEH, 115-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 660 MV @ 1 A | 50 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 68pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BAW56W135 | - | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Baw56w | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99/8,215 | - | ![]() | 9213 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAV99 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BAV99/8,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56W, 135 | 0.0200 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Baw56 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Baw56W, 135-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1PS70SB14,115 | 0.0300 | ![]() | 297 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1PS70SB14,115-954 | 10,051 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C51,115 | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZX79-B5V6,113 | 0.0200 | ![]() | 281 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B5V6,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX585-C24,115 | 0.0300 | ![]() | 251 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-C24,115-954 | 10,764 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | Baw56sraz | 0.0300 | ![]() | 6639 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Baw56 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Baw56sraz-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36,113 | 0.0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C36,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||
![]() | BZX79-B12143 | - | ![]() | 4369 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX79 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX79-B12143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1PS79SB31,115 | - | ![]() | 5059 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Schottky | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1PS79SB31,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 25pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZB984-C2V4,115 | 1.0000 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | BZB984-C2V4 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX79-C15,133 | 0.0200 | ![]() | 244 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C15,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX585-B20,115 | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B20,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 700 mv | 20 V | 55 ohmios |
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