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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX384-B11,115 | - | ![]() | 5376 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX384-B11,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BAS32L, 115 | 0.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS32L, 115-954 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200 ° C (Max) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | NZX24C, 133 | 0.0200 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX24C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B7V5,115 | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B7V5,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | TDZ3V9J, 115 | - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2.05% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 500 MW | SC-90 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-TDZ3V9J, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B43,115 | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B43,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B22,115 | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-B22,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 25 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BAP51LX, 315 | 0.0700 | ![]() | 9244 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Sod-882 | DFN1006D-2 | - | 2156-BAP51LX, 315 | 3,407 | 100 mA | 140 MW | 0.3pf @ 5V, 1MHz | PIN - Single | 60V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2B, 115 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu6.2b, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 3 V | 6.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX84-B24,215 | 0.0200 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B24,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B11,115 | 1.0000 | ![]() | 7693 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C6V2,115 | 0.0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C6V2,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N4742A, 113 | - | ![]() | 1206 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4742A, 113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C39,115 | 0.0200 | ![]() | 837 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C39,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BZV55-C8V2,115 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C8V2,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PZU9.1bl, 315 | 0.0300 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pzu9.1bl, 315-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PZU11B3,115 | 0.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU11B3,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V6,215 | 0.0200 | ![]() | 554 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C3V6,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PZU20BA, 115 | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU20BA, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 15 V | 20 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36,113 | 0.0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C36,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C30,115 | 0.0200 | ![]() | 157 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C30,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Pzu4.3b, 115 | 0.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pzu4.3b, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C3V6,115 | 1.0000 | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BZB784-C3V6 | 180 MW | Sot-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C9V1,133 | 0.0200 | ![]() | 290 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C9V1,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A, 133 | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4744A, 133-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-B8V2,143 | 0.0200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B8V2,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | NZX10D, 133 | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX10D, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C2V7,135 | 0.0300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-C2V7,135-954 | 10,764 | 1.1 V @ 100 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C47,315 | 0.0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-C47,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B9V1,115 | - | ![]() | 2099 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-B9V1,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios |
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