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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84-C3V6,215 | 0.0200 | ![]() | 554 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C3V6,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C15,133 | 0.0200 | ![]() | 244 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C15,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BAP65LX, 315 | 0.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Sod-882 | - | - | 2156-BAP65LX, 315 | 4.929 | 100 mA | 135 MW | 0.37pf @ 20V, 1MHz | PIN - Single | 30V | 350mohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C24,135 | 0.0200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C24,135-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 700 mv | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4749A, 133 | 0.0400 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4749A, 133-954 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C8V2,115 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C8V2,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V6,133 | 0.0200 | ![]() | 620 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C3V6,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | NZX13A, 133 | 0.0200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX13A, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C51,115 | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B20,115 | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B20,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 700 mv | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BZX84-C27,215 | - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX84 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84-C27,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BAT54SW, 115 | 0.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-bat54sw, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200 MMA | 800 MV @ 100 Ma | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||
![]() | BAP51LX, 315 | 0.0700 | ![]() | 9244 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Sod-882 | DFN1006D-2 | - | 2156-BAP51LX, 315 | 3,407 | 100 mA | 140 MW | 0.3pf @ 5V, 1MHz | PIN - Single | 60V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | NZX24C, 133 | 0.0200 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX24C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | PZU7.5B3A, 115 | - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PZU7.5B3A, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | PZU24B2A, 115 | 1.0000 | ![]() | 3445 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | PZU24 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 19 V | 24 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B12143 | - | ![]() | 4369 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX79 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX79-B12143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B6V8,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B3V0,115 | 0.0200 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B3V0,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | NZX9V1C, 133 | - | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX9V1C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | PMEG6010CEH, 115 | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | PMEG6010 | Schottky | SOD-123F | - | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-PMEG6010CEH, 115-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 660 MV @ 1 A | 50 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 68pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C6V8,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PZU8.2B2L, 315 | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | PZU8.2 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C68,215 | 0.0200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C68,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 47.6 V | 68 V | 240 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | NZX16C, 133 | 0.0200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX16C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BAS32L, 115 | 0.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS32L, 115-954 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200 ° C (Max) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | PZU4.3B2A, 115 | - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu4.3b2a, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B11,115 | 1.0000 | ![]() | 7693 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C24,115 | 0.0200 | ![]() | 173 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C24,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 700 mv | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C4V7,143 | 0.0200 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C4V7,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios |
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