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Diodos (545)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
BZB984-C3V6,115	0.0400	RFQ	133	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOT-663			265 MW	SOT-663	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZB984-C3V6,115-954	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común			900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.6 V	85 ohmios
BZV55-B2V7,115	-	RFQ	7094	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B2V7,115-954	EAR99	8541.10.0050	1				900 MV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V						2.7 V	100 ohmios
BZV55-B24,115	0.0200	RFQ	227	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B24,115-954			1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 16.8 V						24 V	70 ohmios
BZX79-B8V2113	1.0000	RFQ	6688	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar						0000.00.0000	1
BZX884-B10315	-	RFQ	6947	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar						0000.00.0000	1
BZX84J-B56,115	-	RFQ	8649	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			550 MW	Sod-323f	descascar						0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 39.2 V						56 V	120 ohmios
1N4733A, 113	0.0300	RFQ	214	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1N4733A, 113-954	EAR99	8541.10.0070	1
BZV85-C36,133	-	RFQ	3634	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZV85-C36		1.3 W	Do-41	descascar						0000.00.0000	1				1 V @ 50 Ma		50 na @ 25 V						36 V	50 ohmios
BZB784-C11115	-	RFQ	3443	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q100	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			180 MW	Sot-323	descascar					EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común			900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
PZU6.2bl, 315	-	RFQ	3706	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882	PZU6.2		250 MW	DFN1006-2	descascar						0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 3 V						6.2 V	30 ohmios
BZB84-B33,215	-	RFQ	7720	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B33		300 MW	To-236ab	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común			900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V						33 V	80 ohmios
BZB84-B3V3,215	-	RFQ	8942	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B3V3		300 MW	To-236ab	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común			900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 V	95 ohmios
BZX84-B51,215	-	RFQ	4054	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	Sot-23	descascar						0000.00.0000	1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 35.7 V						51 V	180 ohmios
NZX7V5D, 133	-	RFQ	5910	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	NZX7V5		500 MW	ALF2	descascar					EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V						7.5 V	15 ohmios
BB208-02,135	-	RFQ	2082	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523				Sod-523	-				2156-BB208-02,135			1									5.4pf @ 7.5V, 1MHz	Soltero	10 V			5.2	C1/C7.5	-
BB181,135	-	RFQ	7708	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523				Sod-523	-				2156-BB181,135			1									1.055pf @ 28V, 1MHz	Soltero	30 V			14	C0.5/C28	-
Pmeg4005esfyl	-	RFQ	2590	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	0201 (0603 Métrica)		Schottky		DSN0603-2	-				2156-PMEG4005ESFYL			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	880 MV @ 500 Ma	1.28 ns	6.5 µA @ 40 V	150 ° C	500mA	17pf @ 1v, 1 MHz
BZX79-B11143	-	RFQ	4192	Semiconductorores nxp	BZX79	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZX79-B11143-954			1				900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
NZX5V6D, 133	-	RFQ	7082	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	ALF2	-					EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 V	40 ohmios
BZX79-B47133	0.0200	RFQ	30	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar					EAR99	8541.10.0050	1
BZX884-B51,315	0.0300	RFQ	149	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar						0000.00.0000	9,648				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 35.7 V						51 V	180 ohmios
PZU9.1B2,115	-	RFQ	9806	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW	SC-90	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-Pzu9.1b2,115-954			1				1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 6 V						9.1 V	10 ohmios
BZV55-C30,135	0.0200	RFQ	56	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C30,135-954			1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 21 V						30 V	80 ohmios
BZX79-B9V1,143	0.0200	RFQ	103	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B9V1,143-954			1				900 MV @ 10 Ma		500 na @ 6 V						9.1 V	15 ohmios
NZX18A, 133	0.0200	RFQ	37	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZX18A, 133-954			1				1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 12.6 V						18 V	55 ohmios
BYC5DX-500,127	0.3700	RFQ	48	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		Estándar		Un 220F	descascar					EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	500 V	2 V @ 5 A	16 ns	40 µA @ 500 V	150 ° C (Máximo)	5A	-
BZX79-C18,133	0.0200	RFQ	301	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C18,133-954			1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 12.6 V						18 V	45 ohmios
BZX79-C33,143	0.0200	RFQ	380	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C33,143-954	EAR99	8541.10.0070	1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv						33 V	80 ohmios
BZV85-C16,113	0.0300	RFQ	28	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C16,113-954			1				1 V @ 50 Ma		50 na @ 11 V						16 V	15 ohmios
BZX79-B3V6,113	0.0200	RFQ	200	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B3V6,113-954			1				900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.6 V	90 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²