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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV49-C11,115 | - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZV49 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1 W | Sot-89 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZV49-C11,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | PDZ33BGWX | - | ![]() | 8602 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, PDZ-GW | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 365 MW | SOD-123 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PDZ33BGWX-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 25 V | 33 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4733A, 113 | 0.0300 | ![]() | 214 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4733A, 113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C30,135 | 0.0200 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C30,135-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX79-B9V1,143 | 0.0200 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B9V1,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | NZX18A, 133 | 0.0200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX18A, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 55 ohmios | ||||||||||||
![]() | PZU9.1B2,115 | - | ![]() | 9806 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu9.1b2,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZT52H-B62,115 | - | ![]() | 3303 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Bzt52h | Una granela | Activo | ± 1.94% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | 375 MW | SOD-123F | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZT52H-B62,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 140 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZV55-C20,135 | 0.0200 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZV85-C10,133 | 0.0400 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C10,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 8 ohmios | ||||||||||||
PMEG2005EGWX | - | ![]() | 5456 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG2005EGWX-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 390 MV @ 500 Ma | 200 µA @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 66pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MMBD4148,215 | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-MMBD4148,215-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | NZX5V6D, 133 | - | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX79-B47133 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C27,113 | 0.0200 | ![]() | 520 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C27,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | ||||||||||
BAS116GWJ | 1.0000 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | SOD-123 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS116GWJ-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZX79-C24,113 | 0.0200 | ![]() | 350 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C24,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||
![]() | BZX84J-C4V3,115 | - | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | BZX84J-C4V3 | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | PMBD7100,215 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMBD7100,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C18,115 | 0.0200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C18,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | BAT74S, 115 | 1.0000 | ![]() | 2777 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAT74 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-bat74s, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C13,115 | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84J-C13,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX884-C18,315 | - | ![]() | 7302 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-C18,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | ||||||||||
![]() | BZX84J-C24,115 | 0.0300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84J-C24,115-954 | 11,823 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 30 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX79-C3V0,113 | 0.0200 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C3V0,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAT754C, 215 | 0.0500 | ![]() | 530 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-bat754c, 215-954 | 6,138 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B2V4,315 | - | ![]() | 7880 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-B2V4,315-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | PZU13B2A, 115 | 1.0000 | ![]() | 1332 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BYV32E-200,127 | - | ![]() | 7891 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BYV32 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-byv32e-200,127-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 381 | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B3V3,215 | 1.0000 | ![]() | 1891 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B3V3,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios |
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