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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SB560 | 1.0000 | ![]() | 3074 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | DO-2010 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 670 MV @ 5 A | 500 µA @ 60 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||
![]() | BZX79C51 | 0.0200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C51 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 500 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||
![]() | ES3A | 0.2400 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 903 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 900 MV @ 3 A | 20 ns | 5 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | SB330 | 0.1200 | ![]() | 7914 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | SB33 | Schottky | DO-2010 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 490 MV @ 3 A | 500 µA @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | FYV0203DSMTF | 0.0500 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200 MMA | 1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
![]() | RRG5060F085 | 2.5900 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 50 A | 60 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 50A | - | |||||||||
![]() | BZX85C56 | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 39 V | 56 V | 120 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N483B | 6.0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N483 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 54 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 60 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||
![]() | 1N747A | 2.0800 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX79C33 | 0.0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C33 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||
![]() | SB540 | - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | DO-2010 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||
![]() | Ss34 | 1.0000 | ![]() | 4445 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Ss34 | Schottky | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | Ffp04u40dntu | 0.2700 | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 4A | 1.4 v @ 4 a | 45 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | BZX85C15-T50A | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C15 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,095 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 10.5 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||
![]() | Rgf1d | 0.1400 | ![]() | 1048 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 224 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MMSZ5230B | 1.0000 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4743ATR | 0.0300 | ![]() | 153 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,053 | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Flz24vb | 0.0200 | ![]() | 5854 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,145 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 19 V | 23.2 V | 29 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX79C7V5-T50A | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
![]() | ES3D | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 3 A | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | 1N914ATR | 0.0400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,991 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 20 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | LL4148 | 1.0000 | ![]() | 7199 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LL414 | Estándar | Sod-80c | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Ffpf04f150stu | 1.0000 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.5 v @ 4 a | 170 ns | 5 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||||
![]() | Fes16ht | 0.2700 | ![]() | 7271 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 801 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 145pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Flz39vd | 0.0200 | ![]() | 4140 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 70 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 30 V | 37.6 V | 72 ohmios | |||||||||||||
![]() | FLZ5V6C | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 v @ 200 ma | 750 na @ 2.5 V | 5.8 V | 10.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | ES1DAF | 0.2600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AD, SMAF | ES1D | Estándar | DO-214AD (SMAF) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.152 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 1 A | 34 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N963B | 2.1300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 141 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 11.5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Mmbz5237b | 0.0200 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||
![]() | FLZ4V7B | 0.0200 | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,263 | 1.2 v @ 200 ma | 190 na @ 1 V | 4.7 V | 21 ohmios |
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