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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
EGF1A	0.1900	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-EGF1A-600039			1.735	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
DCG010-TL-E	0.0800	RFQ	6498	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323		Estándar		MCP	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	80 V	100mA	1.2 V @ 100 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	125 ° C (Máximo)
1N5260B-T50A	-	RFQ	5225	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5260		500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 33 V						43 V	93 ohmios
FYPF2010DNTU	-	RFQ	7730	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	FYPF20	Schottky		Un 220F	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	770 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
FLZ4V7C	0.0200	RFQ	84	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	2.500					1.2 v @ 200 ma		190 na @ 1 V						4.8 V	21 ohmios
MBRP745TU	0.3000	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2		Schottky		Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		650 MV @ 7.5 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
1N5226B.TA	0.0200	RFQ	3034	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 V	28 ohmios
1N5818	5.2900	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N58	Schottky		Do15/do204ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	57	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		875 MV @ 3 A		1 ma @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N4738A_NL	0.0400	RFQ	5216	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.970							10 µA @ 6 V						8.2 V	4.5 ohmios
BZX79C20	0.0200	RFQ	139	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C20		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 14 V						20 V	55 ohmios
BZX85C6V2	0.0300	RFQ	24	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 3 V						6.2 V	4 ohmios
BZX85C10TR5K	0.0200	RFQ	80	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0050	5,000
MM5Z3V0	1.0000	RFQ	6267	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6.67%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							10 µA @ 1 V						3 V	100 ohmios
MMSZ5249B	-	RFQ	2046	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 14 V						19 V	23 ohmios
BZX85C24-T50R	0.0300	RFQ	21	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 17 V						24 V	25 ohmios
MMSZ5256B	0.0200	RFQ	838	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 23 V						30 V	49 ohmios
BZX84C24	-	RFQ	6689	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 16.8 V						24 V	70 ohmios
GBPC1208	1.1600	RFQ	760	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, GBPC		Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 6 a		5 µA @ 800 V		12 A		Fase única	800 V
RRG5060-F085	-	RFQ	4183	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	RHRG5060	Estándar		To-247-2	-	No Aplicable	3 (168 Horas)		2156-RHRG5060-F085	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 V @ 50 A	60 ns	250 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	50A	-
MMSZ5237B	0.0200	RFQ	132	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 6.5 V						8.2 V	6 ohmios
MMSZ5235B	0.0200	RFQ	361	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 5 V						6.8 V	5 ohmios
MMSZ5233B	0.0200	RFQ	182	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	11 ohmios
Mmbd7000	0.0300	RFQ	5507	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD70	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	580	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	100 V	200 MMA	1.1 V @ 100 Ma	4 ns	500 na @ 100 V	150 ° C (Máximo)
BZX85C3V6	0.0300	RFQ	88	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C3		1.3 W	Do-41G	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		20 µA @ 1 V						3.6 V	20 ohmios
1N5404	-	RFQ	5611	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	1N5404	Estándar		DO-2010	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.250	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 3 a	1.5 µs	500 na @ 400 V	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Mm5z68v	0.0200	RFQ	141	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z6		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 47.6 V						68 V	240 ohmios
BZX85C51	0.0200	RFQ	41	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 36 V						51 V	115 ohmios
BZX85C18-T50R	0.0300	RFQ	27	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 12.5 V						18 V	20 ohmios
MM5Z9V1	0.0200	RFQ	58	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z9		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							200 na @ 7 V						9.1 V	15 ohmios
Mmbz5243b	0.0200	RFQ	171	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			225 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		500 na @ 9.9 V						13 V	13 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

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30,000,000

2800+

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15,000 m²