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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT54HT1G | - | ![]() | 2952 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAT54 | Schottky | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | Ffpf20u60dntu | 0.5400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 20A | 2.2 V @ 20 A | 90 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | Mm5z43v | 0.0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||||||
![]() | MM3Z4V3C | 0.0400 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,103 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 1 V | 4.3 V | 84 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | RS1KFP | - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Rs1k | Estándar | Sod-123he | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.2 A | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | 18pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5244B | 0.0300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 MV @ 200 Ma | 100 na @ 11 V | 14 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N5231CTR | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BAY72 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N4148TA | 0.0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 11,539 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | ES2D | - | ![]() | 5319 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | SMB (DO-214AA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 2 A | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||
![]() | Flz13vb | 0.0200 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 10 V | 12.9 V | 11.4 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | ISL9R1560S2 | - | ![]() | 5129 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Avalancha | I2pak (TO-262) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 81 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.2 v @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | BZX79C9V1-T50A | 0.0200 | ![]() | 2197 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N4743A | 0.0300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N5237B | 0.0300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | 500 MW | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ffa15u40dntu | 0.7500 | ![]() | 1775 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 15A | 1.4 V @ 15 A | 50 ns | 40 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | EGP10K | 0.1100 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,834 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | DFB25100 | - | ![]() | 6418 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | Estándar | TS-6P | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 1 V | 25 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84C9V1 | 0.0200 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C9 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | RRG3060-F085 | - | ![]() | 5121 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 30 A | 45 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||
![]() | 1N4735A | 0.0800 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3845-1N4735A | EAR99 | 1 | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX55C3V3 | 0.0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | ISL9R460PF2 | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.4 v @ 4 a | 22 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||||||||
![]() | BZX79C4V3-T50A | - | ![]() | 3271 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6.98% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2156-BZX79C4V3-T50A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX55C2V7 | 0.0200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 17,780 | 1.3 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Rurd620ccs9a | - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 6A | 1 v @ 6 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||
![]() | GBPC1202 | 3.1600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | Estándar | GBPC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 95 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 12 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||
![]() | Mm3z47vc | 0.0200 | ![]() | 9857 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | MM3Z47 | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,913 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 33 V | 47 V | 160 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6 | - | ![]() | 6163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84C5V6-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BAV74 | 0.0400 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BAV74-600039 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 |
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