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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mmbz5246b-nl | 0.7100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||
![]() | FFSH30120Adn-F155 | - | ![]() | 9741 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 15a (DC) | 1.75 V @ 15 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | 1N4730A_NL | - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | |||||||||||||
![]() | MBR745 | 1.0000 | ![]() | 7811 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Switchmode ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR745 | Schottky | Un 220-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 7.5 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX55C2V4 | 1.0000 | ![]() | 7733 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 85 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5406 | 1.0000 | ![]() | 2232 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5406 | Estándar | Do15/do204ac | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 3 a | 1.5 µs | 200 na @ 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | MMBZ5250B | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | FFA120UP60DNTU | 0.9600 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 91 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 120a | 2.2 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBR1550CT | 1.0000 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 15A | 750 MV @ 7.5 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | 1N5223B | 0.0200 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 0.5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | - | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C6V2 | 0.0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX55C4V3 | 0.0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 75 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N4731ATR | 0.0300 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4731 | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4750A | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 20 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 1 W | Axial | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Gf1d | 0.1300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,441 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5991B | 2.0000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 88 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZX85C33 | 1.0000 | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C33 | 1.3 W | Do-41G | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 24 V | 33 V | 35 ohmios | |||||||||||
![]() | Fyp1004dntu | 0.4200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 10A | 670 MV @ 10 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | BZX79C11 | 0.0300 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Mm5z43v | 0.0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX79C33-T50A | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BZX79C33-T50A-600039 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | MMSD4148-D87Z-FS | 0.0200 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5228B | 0.0300 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | A Través del Aguetero | 500 MW | - | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | FLZ9V1A | 0.0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 300 na @ 6 V | 8.5 V | 6.6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N758A | 1.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N758ATR | 0.0500 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZX79C13 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5999B | 3.4100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 96 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZX85C10 | 0.0300 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,072 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 7 V | 10 V | 7 ohmios | |||||||||||||||
![]() | FLZ5V6C | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 v @ 200 ma | 750 na @ 2.5 V | 5.8 V | 10.5 ohmios |
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