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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Flz24vb | 0.0200 | ![]() | 5854 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,145 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 19 V | 23.2 V | 29 ohmios | ||||||||||||||
![]() | ES2DAF | 0.2300 | ![]() | 884 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AD, SMAF | ES2D | Estándar | DO-214AD (SMAF) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.399 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N6006B | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 42 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Mmbz5233b | - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMBZ5233B-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
![]() | EGP10J | 0.0600 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | 1N5262B-T50A | 0.0200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Flz10va | 1.0000 | ![]() | 1777 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 110 na @ 7 V | 9.4 V | 6.6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | FFA120UP60DNTU | 0.9600 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 91 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 120a | 2.2 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBR1550CT | 1.0000 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 15A | 750 MV @ 7.5 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | SB130 | 0.0900 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Schottky | Do15/do204ac | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,386 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | BAS19 | 0.0200 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS19 | Estándar | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | S1B | 0.0500 | ![]() | 1838 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC, SMA | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | Flz36vb | 0.0200 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 27 V | 33.6 V | 63 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5231CTR | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N4735A-T50A | 0.0300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,616 | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | FDH400TR | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 9,779 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1.1 V @ 300 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZX85C8V2 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 8.2 V | 5 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N754ATR | 0.0500 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | EGP20C | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-EGP20C-600039 | 1.401 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BAV102 | 0.0400 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Bav10 | Estándar | DO-213AA, Mini Masa | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||
![]() | Ffpf04f150stu | 1.0000 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.5 v @ 4 a | 170 ns | 5 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | ||||||||||||
![]() | FES16JT | 0.8700 | ![]() | 7947 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2156-fes16jt-fs | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 145pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZX79C15-T50A | 0.0300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
MMSZ4692 | 0.0200 | ![]() | 246 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ46 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 5.1 V | 6.8 V | |||||||||||||
![]() | MMSD4448 | 0.0300 | ![]() | 76 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | SOD-123 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,764 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4933 | 0.0200 | ![]() | 124 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Axial | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | EGP30G | - | ![]() | 7877 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 75pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | FFSH1665Adn-F155 | 4.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FFSH1665Adn-F155 | EAR99 | 8541.10.0080 | 72 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 11a (DC) | 1.75 v @ 8 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | Mm3z62vb | 0.0200 | ![]() | 3951 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | MM3Z62 | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 43.4 V | 62 V | 202 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5244B | 0.0300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 MV @ 200 Ma | 100 na @ 11 V | 14 V | 15 ohmios |
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