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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Mm5z62v	0.0200	RFQ	110	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z6		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 43.4 V				62 V	215 ohmios
FDH400	0.0300	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8542.39.0001	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		150 V		1.1 V @ 300 Ma	50 ns	100 na @ 150 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
S3a	1.0000	RFQ	9473	Semiconductor de fairchild	Alliance Plastics, S	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC		Estándar		SMC (DO-214AB)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.15 v @ 3 a	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZX79C5V1	0.0300	RFQ	203	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 V	60 ohmios
1N756ATR	0.0500	RFQ	170	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante			EAR99	8541.10.0050	5,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V				8.2 V	8 ohmios
1N5993B	1.8400	RFQ	8	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante			EAR99	8541.10.0050	163					1.2 v @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 V	50 ohmios
Mm3z4v7b	0.0200	RFQ	7141	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 Ma		2.7 µA @ 2 V				4.7 V	75 ohmios
1N4736A	0.0300	RFQ	11	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
BAV70	0.0300	RFQ	150	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV70	Estándar		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	75 V	215 Ma	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Ffa10u120dntu	1.6200	RFQ	902	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3		Estándar		Un 3p	descascar	ROHS3 Cumplante			EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1200 V	10A	3.5 V @ 10 A	100 ns	10 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX85C6V2T50A	-	RFQ	9744	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6.45%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 3 V				6.2 V	4 ohmios
MMSD4148	-	RFQ	4598	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	MMSD41	Estándar		SOD-123	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
DCB010-TB-E	-	RFQ	8912	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		3-CP	descascar	No Aplicable			EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	80 V	100mA	1.2 V @ 100 Ma	4 ns	100 na @ 80 V	125 ° C (Máximo)
1N5991B	2.0000	RFQ	28	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante			EAR99	8541.10.0050	163					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 V	88 ohmios
Gf1d	0.1300	RFQ	68	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	2,441	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX85C33	1.0000	RFQ	5973	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C33		1.3 W	Do-41G	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 24 V				33 V	35 ohmios
1N4001	0.0200	RFQ	131	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante			EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX79C6V2	0.0300	RFQ	61	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 Ma		3 µA @ 4 V				6.2 V	10 ohmios
1N5223B	0.0200	RFQ	143	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 0.5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	-	descascar				EAR99	8541.10.0050	15,000							75 µA @ 1 V				2.7 V	30 ohmios
MMBZ5250B	-	RFQ	5047	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
1N4750A	0.0300	RFQ	18	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	A Través del Aguetero	Axial			1 W	Axial	descascar				EAR99	8541.10.0050	9,779							5 µA @ 20.6 V				27 V	35 ohmios
1N4731ATR	0.0300	RFQ	249	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4731		1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000							10 µA @ 1 V				4.3 V	9 ohmios
1N5406	1.0000	RFQ	2232	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5406	Estándar		Do15/do204ac	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	1.250	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 3 a	1.5 µs	200 na @ 600 V	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	-
BZX55C4V3	0.0400	RFQ	36	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante			EAR99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 Ma		1 µA @ 1 V				4.3 V	75 ohmios
S2A	-	RFQ	3731	Semiconductor de fairchild	Alliance Plastics, S	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Estándar		SMB (DO-214AA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.15 v @ 2 a	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	-
1N4936	0.0200	RFQ	7922	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	6,173	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 1 a	300 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Fes16ht	0.2700	RFQ	7271	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2		Estándar		Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante			EAR99	8541.10.0080	801	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	145pf @ 4V, 1MHz
1N5240BTR	0.0200	RFQ	40	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5240		500 MW	Do-35	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 8 V				10 V	17 ohmios
Mmbz5236b	-	RFQ	6303	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 6 V				7.5 V	6 ohmios
MM5Z75V	0.0200	RFQ	53	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 52.5 V				75 V	255 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²