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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
RRG3060-F085	-	RFQ	5121	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2		Estándar		To-247-2	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 V @ 30 A	45 ns	250 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
Ffpf20u60dntu	0.5400	RFQ	23	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	20A	2.2 V @ 20 A	90 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4936	0.0200	RFQ	7922	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	6,173	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 1 a	300 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Fes16ht	0.2700	RFQ	7271	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2		Estándar		Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	801	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	145pf @ 4V, 1MHz
1N5240BTR	0.0200	RFQ	40	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5240		500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 8 V				10 V	17 ohmios
DCG010-TL-E	0.0800	RFQ	6498	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323		Estándar		MCP	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	80 V	100mA	1.2 V @ 100 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	125 ° C (Máximo)
1N5260B-T50A	-	RFQ	5225	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5260		500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 33 V				43 V	93 ohmios
FYPF2010DNTU	-	RFQ	7730	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	FYPF20	Schottky		Un 220F	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	770 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5238B	0.0300	RFQ	115	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero				500 MW		descascar					EAR99	8541.10.0050	11,539							3 µA @ 6.5 V				8.7 V	8 ohmios
BZX55C3V3	0.0400	RFQ	35	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 Ma		2 µA @ 1 V				3.3 V	85 ohmios
1N5821	0.2000	RFQ	3	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	1N58	Schottky		DO-2010	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1.603	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		900 MV @ 9.4 A		2 Ma @ 30 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SB340	0.2000	RFQ	2266	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL		Schottky		DO-2010	descascar					EAR99	8541.10.0080	801	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		490 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZX85C15TR5K	-	RFQ	4286	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZX85C15TR5K-600039			1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 10.5 V				15 V	15 ohmios
1N962BTR	0.0200	RFQ	4297	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0050	11,995							5 µA @ 8.4 V				11 V	9.5 ohmios
1N972B	1.8400	RFQ	138	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	163							5 µA @ 22.8 V				30 V	49 ohmios
1N979B	3.1500	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	96							5 µA @ 42.6 V				56 V	150 ohmios
1N4736AT50A	1.0000	RFQ	5856	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar					EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
Ffpf15u40stu	1.0000	RFQ	9817	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		Estándar		TO20F-2L	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 15 A	50 ns	40 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	-
S3K	-	RFQ	3073	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC		Estándar		SMC (DO-214AB)	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.15 v @ 3 a	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BAY80	0.0200	RFQ	8133	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	No Aplicable				EAR99	8541.10.0070	550	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		150 V		1 V @ 150 Ma	60 ns	100 na @ 120 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	6pf @ 0v, 1 MHz
Ffh30us30dn	-	RFQ	5936	Semiconductor de fairchild	Stealth ™	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		To-247	descascar					EAR99	8541.10.0080	90	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	30A	1 V @ 30 A	55 ns	100 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MM3Z4V3C	0.0400	RFQ	210	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar					EAR99	8541.10.0050	8,103					1 V @ 10 Ma		2.7 µA @ 1 V				4.3 V	84 ohmios
MBR735	-	RFQ	7294	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2		Schottky		Un 220-2	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		840 MV @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
EGF1A	0.1900	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-EGF1A-600039			1.735	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
1N4753A	0.0300	RFQ	20	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	A Través del Aguetero	Axial			1 W	Axial	descascar					EAR99	8541.10.0050	9,779							5 µA @ 27.4 V				36 V	50 ohmios
RRG1560CC_NL	1.0000	RFQ	8803	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3		Avalancha		To-247	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	15A	2.1 v @ 15 a	40 ns	100 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C
FLZ6V8C	0.0200	RFQ	17	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	17,006					1.2 v @ 200 ma		1.1 µA @ 3.5 V				6.8 V	6.6 ohmios
MMBZ5251B	-	RFQ	3855	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 17 V				22 V	29 ohmios
BZX55C3V9	0.0400	RFQ	19	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 Ma		2 µA @ 1 V				3.9 V	85 ohmios
BZX85C3V9	0.0300	RFQ	138	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.9 V	15 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²