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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Mmsz28vcf	0.0600	RFQ	1023	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123F	MMSZ28		1 W	SOD-123F	descascar	EAR99	8541.10.0050	1.853					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 21 V						28 V	15 ohmios
Bzx84b27lt1g	0.0300	RFQ	60	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23-3 (TO-236)	descascar	EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 18.9 V						27 V	80 ohmios
DF08S2	-	RFQ	1041	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		4 SDIP	descascar	EAR99	8541.10.0080	672					1.1 v @ 2 a		3 µA @ 800 V		2 A		Fase única	800 V
1N4742A	0.0300	RFQ	90	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	EAR99	8541.10.0050	9,779					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V						12 V	9 ohmios
RURP1560-F085	1.0000	RFQ	1525	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Rurp1560	Estándar		Un 220-2	descascar	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.5 V @ 15 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-
RB521S30T5G	-	RFQ	3609	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-79, SOD-523		Schottky		Sod-523	descascar	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		500 MV @ 200 Ma		30 µA @ 10 V	-55 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	-
DF02S	1.0000	RFQ	7019	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		DF-S	descascar	EAR99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 200 V		1 A		Fase única	200 V
GBPC1504	2.5800	RFQ	150	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC		Estándar		GBPC	descascar	EAR99	8541.10.0080	150					1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 400 V		15 A		Fase única	400 V
DF06S	-	RFQ	5151	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		DF-S	descascar	EAR99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 1 a		10 µA @ 600 V		1 A		Fase única	600 V
GBPC3501W	1.0000	RFQ	8739	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-W		Estándar		GBPC-W	descascar	EAR99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 100 V		35 A		Fase única	100 V
MB2S	-	RFQ	5890	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	MB2	Estándar		MD-S	descascar	EAR99	8541.10.0080	1					1.05 V @ 400 Ma		5 µA @ 200 V		500 mA		Fase única	200 V
Mm3z75vc	0.0400	RFQ	172	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar	EAR99	8541.10.0050	7,340					1 V @ 10 Ma		45 na @ 52.5 V						75 V	240 ohmios
GBPC1204W	2.4800	RFQ	626	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-W		Estándar		GBPC-W	descascar	EAR99	8541.10.0080	122					1.1 v @ 6 a		5 µA @ 400 V		12 A		Fase única	400 V
GBPC25005	1.0000	RFQ	3803	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC		Estándar		GBPC	descascar	EAR99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 50 V		25 A		Fase única	50 V
DFB2520	1.5800	RFQ	5	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, TS-6P		Estándar		TS-6P	descascar	EAR99	8541.10.0080	190					1.1 v @ 25 a		10 µA @ 200 V		25 A		Fase única	200 V
1N4746ATR	-	RFQ	7736	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	EAR99	8541.10.0050	1							5 µA @ 13.7 V						18 V	20 ohmios
1N5236B	0.0300	RFQ	55	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo							500 MW	-	descascar	EAR99	8541.10.0050	11,539							3 µA @ 6 V						7.5 V	6 ohmios
SB550	-	RFQ	9934	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL		Schottky		DO-2010	descascar	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		670 MV @ 5 A		500 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	5A	-
DFB2010	1.3600	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, TS-6P		Estándar		TS-6P	descascar	EAR99	8541.10.0080	240					1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 A		Fase única	100 V
MMSD3070	1.0000	RFQ	6659	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123		Estándar		SOD-123	descascar	EAR99	8542.39.0001	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		200 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 175 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	5PF @ 0V, 1MHz
US1AFA	1.0000	RFQ	4051	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123W		Estándar		SOD-123FA	descascar	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
MBR3030CTTU	-	RFQ	2349	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									-		0000.00.0000	1
Ss23	1.0000	RFQ	6808	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2a	-
GBU8K	-	RFQ	1472	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar	EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 8 a		5 µA @ 800 V		5.6 A		Fase única	800 V
Mm3z12vb	0.0300	RFQ	15	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar	EAR99	8541.10.0050	10,017					1 V @ 10 Ma		900 na @ 8 V						12 V	23 ohmios
ES1A	1.0000	RFQ	2704	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC, SMA	descascar	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		920 MV @ 1 A	15 ns	5 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Gbu4m	0.7200	RFQ	27	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar	EAR99	8541.10.0080	414					1 v @ 4 a		5 µA @ 1 V		2.8 A		Fase única	1 kV
Mmbd4148ca	-	RFQ	5189	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		Sot-23-3	descascar	EAR99	8541.10.0070	620	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Ánodo Común	100 V	200 MMA	1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4739ATR	0.0300	RFQ	44	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	EAR99	8541.10.0050	11,053							10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohmios
EGP30B	0.3000	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		Do-201ad	descascar	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	95pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²