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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FLZ11VC | 0.0200 | ![]() | 7667 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.704 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 8 V | 11 V | 8.5 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 3N256 | 1.0000 | ![]() | 1219 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N4749A | 0.0300 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Ffpf10u40stu | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 10 A | 50 ns | 30 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||
![]() | BZX79C6V8-T50A | - | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | S2B | - | ![]() | 1122 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | SMB (DO-214AA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||||
MMSZ5232B | 0.0200 | ![]() | 303 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 17 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BAS16 | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | SC-59-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.2pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N5234BTR | 0.0200 | ![]() | 470 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N4738A-T50R | 0.0500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 1N914_NL | 0.0200 | ![]() | 5289 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.835 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Bax16 | 0.0300 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,663 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 650 MV @ 1 MA | 120 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||||
![]() | 1N971B | 3.6700 | ![]() | 152 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 82 | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 41 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N4732ATR | 0.0300 | ![]() | 2226 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,960 | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79C22 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Baw74 | 0.0400 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw74 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,612 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 50 V | 200 MMA | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 µA @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
![]() | Flz36va | 0.0200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 27 V | 33 V | 63 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Mm5z51v | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 200 MW | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-MM5Z51V-600039 | 1 | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | FLZ9V1C | 1.0000 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 27,500 | 1.2 v @ 200 ma | 300 na @ 6 V | 9.1 V | 6.6 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V6C | 0.0300 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 Ma | 4.5 µA @ 1 V | 3.6 V | 84 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V9C | 1.0000 | ![]() | 5882 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 1 V | 3.9 V | 84 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Mmsz5246et1g | - | ![]() | 3310 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMSZ5246ET1G-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N4151TR | 0.0200 | ![]() | 158 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 30,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | 175 ° C (Máximo) | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | UF4001 | 0.0800 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF400 | Estándar | Do-41 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-UF4001-600039 | 3.899 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5230B | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | - | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | SS26 | - | ![]() | 9105 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | S210 | 0.3300 | ![]() | 571 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 915 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 400 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||
![]() | EGP20F | 0.2200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-EGP20F-600039 | 1.348 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 v @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZX55C13 | 0.0500 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | UF4005 | 0.0900 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF400 | Estándar | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,386 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - |
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