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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZX55C13	0.0500	RFQ	19	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 Ma		100 na @ 10 V						13 V	26 ohmios
UF4005	0.0900	RFQ	80	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF400	Estándar		Do-41	descascar					EAR99	8541.10.0080	3,386	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BZX55C4V7	0.0400	RFQ	14	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 Ma		500 na @ 1 V						4.7 V	60 ohmios
GBPC3508	3.0800	RFQ	100	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC		Estándar		GBPC	descascar					EAR99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 800 V		35 A		Fase única	800 V
MMSD4148-D87Z	-	RFQ	7730	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	SOD-123		Estándar		SOD-123	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-MMSD4148-D87Z-600039			1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	150 ° C	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
Mm3z4v3b	0.0300	RFQ	179	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar					EAR99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 Ma		2.7 µA @ 1 V						4.3 V	84 ohmios
1N5246BTR	0.0300	RFQ	60	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	11,539					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 12 V						16 V	17 ohmios
1N4747A_NL	0.0400	RFQ	5486	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.940							5 µA @ 15.2 V						20 V	22 ohmios
FFB10UP20STM	0.8600	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		D2PAK (TO-263)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.15 V @ 10 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
RRG1560CC-F085	-	RFQ	2886	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		TO-247-3	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	15A	2.3 V @ 15 A	55 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Gbu6g	0.7000	RFQ	532	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar					EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 6 a		5 µA @ 400 V		4.2 A		Fase única	400 V
FLZ10VC	1.0000	RFQ	2225	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	2.500					1.2 v @ 200 ma		110 na @ 7 V						10.1 V	6.6 ohmios
BZX79C15	0.0300	RFQ	274	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 10.5 V						15 V	30 ohmios
BZX79C2V7	0.0300	RFQ	37	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 Ma		75 µA @ 1 V						2.7 V	100 ohmios
1N5233B.TA	0.0200	RFQ	2087	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	7 ohmios
DFB2005	1.3600	RFQ	600	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, TS-6P		Estándar		TS-6P	descascar					EAR99	8541.10.0080	240					1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 A		Fase única	50 V
1N914	0.0300	RFQ	89	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0070	11,539	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
1N4757A	0.0300	RFQ	44	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar					EAR99	8541.10.0050	9,879					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V						51 V	95 ohmios
BZX85C7V5	0.0300	RFQ	35	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C7		1.3 W	Do-41G	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 4.5 V						7.5 V	3 ohmios
BZX79C36	0.0200	RFQ	8801	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	3,575					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 25.2 V						36 V	90 ohmios
GBPC2510	1.0000	RFQ	9120	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC		Estándar		GBPC	descascar					EAR99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1 V		25 A		Fase única	1 kV
DFB2580	1.8400	RFQ	180	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, TS-6P		Estándar		TS-6P	descascar					EAR99	8541.10.0080	180					1.1 v @ 25 a		10 µA @ 800 V		25 A		Fase única	800 V
FFPF04U40DPTU	0.2400	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	400 V	4A	1.4 v @ 4 a	45 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Mm3z43vb	0.0300	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 Ma		45 na @ 30.1 V						43 V	141 ohmios
Gf1m	-	RFQ	2560	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	GF1	Estándar		SMA (DO-214AC)	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ4697	0.0200	RFQ	1283	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ46		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 7.6 V						10 V
S1JFL	-	RFQ	3179	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123F		Estándar		SOD-123F	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	1 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	4PF @ 4V, 1MHz
BZX55C47	0.0200	RFQ	4407	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	2,000					1.3 V @ 100 Ma		100 na @ 35 V						47 V	110 ohmios
DFB20100	1.4000	RFQ	296	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, TS-6P		Estándar		TS-6P	descascar					EAR99	8541.10.0080	296					1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 A		Fase única	1 kV
1N5235BTA	0.0600	RFQ	24	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 4.8 V						6.8 V	5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²