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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mm3z51vc | 0.0300 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 35.7 V | 51 V | 169 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N4154 | 1.2700 | ![]() | 218 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 237 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 35 V | 1 V @ 30 Ma | 4 ns | 100 na @ 25 V | 175 ° C (Máximo) | 100mA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | FFSH15120Adn-F155 | 7.3100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 42 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 8a (DC) | 1.75 v @ 8 a | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||
![]() | FLZ2V4A | 0.0300 | ![]() | 5302 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 4% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.092 | 1.2 v @ 200 ma | 84 µA @ 1 V | 2.4 V | 35 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5394 | 0.0400 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.4 V @ 1.5 A | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5403 | 0.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4750A_NL | 0.0500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.662 | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||||||
![]() | S1M | 0.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC, SMA | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,548 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | Ss23 | 1.0000 | ![]() | 6808 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||||||
![]() | BZX85C15TR5K-FS | 0.0200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
MMSZ5244B | - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 622 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | Mm5z51v | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 200 MW | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-MM5Z51V-600039 | 1 | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 1N754A_NL | 0.0200 | ![]() | 7505 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N6002B | 2.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 9.1 V | 12 V | 22 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5231BTR | - | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX55C6V8 | 0.0600 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
![]() | RGP10D | 0.0600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.915 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N748ATR | - | ![]() | 2616 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,503 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Ffpf06up20stu | 0.6100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 6 a | 31 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | ||||||||||||
![]() | Rurd660s | 1.0000 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Avalancha | TO-252, (D-Pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 V @ 6 A | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | BZX84C3V9 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | BZX84C3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84C3V9-600039 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR1545CT | 1.0000 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 840 MV @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 1N6017B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||
MMSZ5245 | 0.0400 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||||
![]() | Mm3z75vc | 0.0400 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,340 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 52.5 V | 75 V | 240 ohmios | |||||||||||||||
![]() | FLZ10VC | 1.0000 | ![]() | 2225 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 110 na @ 7 V | 10.1 V | 6.6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Ffaf40u60dntu | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Estándar | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 40A | 2.1 V @ 40 A | 110 ns | 20 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | 1N5235BTA | 0.0600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 4.8 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||
![]() | ISL9R1560G2-F085 | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 116 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.2 v @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||||
![]() | BZX55C24 | 0.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios |
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