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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
US2DA	0.1100	RFQ	9688	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar					EAR99	8541.10.0080	1.984	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1.5 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	50pf @ 4V, 1 MHz
1N4755A	0.0300	RFQ	43	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero				1 W		descascar					EAR99	8541.10.0050	9,616							5 µA @ 32.7 V				43 V	70 ohmios
MBR2050CT	0.5900	RFQ	7	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR2050	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	-	800 MV @ 10 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX84C6V2	-	RFQ	1299	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	Sot-23-3	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZX84C6V2-600039			1					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V				6.2 V	6 ohmios
1N4732A	0.0300	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									descascar					EAR99	8541.10.0050	9,779
1N5243BTR	0.0200	RFQ	170	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
1N5399	0.0400	RFQ	45	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial		Estándar		Do-15	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	25pf @ 4V, 1 MHz
Baw76	1.0000	RFQ	7262	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Baw76	Estándar		Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		75 V		1 V @ 100 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	175 ° C (Máximo)	300mA	2pf @ 0V, 1 MHz
Fyp2006dntu	0.7300	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	FYP2006	Schottky		Un 220-3	descascar					EAR99	8541.10.0080	412	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	710 MV @ 20 A		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Ffpf15Up20sttu	0.4400	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		Estándar		TO20F-2L	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.15 v @ 15 a	45 ns	100 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	-
MBR2060CT	-	RFQ	9805	Semiconductor de fairchild	Switchmode ™	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR2060	Schottky		Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	-	850 MV @ 10 A		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
1N4151	0.8100	RFQ	13	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0070	369	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 na @ 50 V	175 ° C (Máximo)	150 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
Ffp06u40dntu	0.3600	RFQ	6200	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	617	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	6A	1.4 v @ 6 a	50 ns	20 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Mmbz5256b	-	RFQ	9886	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			225 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 23 V				30 V	49 ohmios
1N5407	-	RFQ	4168	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL		Estándar		Axial	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1 v @ 3 a		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 170 ° C	3A	-
1N5992B	1.8400	RFQ	29	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	163					1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.7 V	70 ohmios
1N977B	1.8400	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	163							5 µA @ 35.8 V				47 V	105 ohmios
BZX79C3V0	0.0200	RFQ	111	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C3		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 Ma		50 µA @ 1 V				3 V	95 ohmios
Fep16cta	0.6100	RFQ	130	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	150 V	16A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Mm3z6v8c	0.0300	RFQ	126	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar					EAR99	8541.10.0050	8,663					1 V @ 10 Ma		1.8 µA @ 4 V				6.8 V	14 ohmios
FDH333	0.0300	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-FDH333	EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		125 V		1.05 v @ 200 ma		3 na @ 125 V	175 ° C	200 MMA	6pf @ 0v, 1 MHz
1N4935GP	0.1700	RFQ	20	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	25,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.2 v @ 1 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
1N5352BRLG	-	RFQ	2884	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	T-18, axial			5 W	Axial	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		1 µA @ 11.5 V				15 V	2.5 ohmios
Mmbd1401a	0.0300	RFQ	35	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		Sot-23-3	descascar					EAR99	8542.39.0001	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		175 V		1 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 175 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
1N4739A	0.0300	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	A Través del Aguetero	Axial			1 W	Axial	descascar					EAR99	8541.10.0050	9,779							10 µA @ 7 V				9.1 V	5 ohmios
Fes16ft	1.0000	RFQ	3029	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2		Estándar		Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	170pf @ 4V, 1MHz
1N6002B	2.0000	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	163					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 9.1 V				12 V	22 ohmios
1N5228BTR	0.0200	RFQ	29	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5228		500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 V	23 ohmios
1N5282TR	0.0200	RFQ	80	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		80 V		900 MV @ 100 Ma	4 ns	100 na @ 55 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	2.5pf @ 0V, 1 MHz
1N5988B	2.7500	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	110					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.3 V	95 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²