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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
GBPC2506W	-	RFQ	6685	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-W		Estándar		GBPC-W	descascar						0000.00.0000	1						1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 A		Fase única	600 V
MMBD701	0.0600	RFQ	18	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C		TO36-3, SC-59, SOT-23-3				SOT-23-3 (TO-236)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0070	3.000		280 MW									1PF @ 20V, 1MHz	Schottky - Single	70V			-
MMSZ5229B	-	RFQ	7071	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						4.3 V	23 ohmios
BZX79C6V2-T50R	0.0200	RFQ	810	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C6		500 MW	Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 100 Ma		3 µA @ 4 V						6.2 V	10 ohmios
Ffpf15u20dntu	0.5600	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.2 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N961BTR	0.0200	RFQ	72	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	5,000								10 µA @ 7.6 V						10 V	8.5 ohmios
1N5224B	2.4100	RFQ	99	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5224		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	125						900 MV @ 200 Ma		50 µA @ 1 V						2.8 V	30 ohmios
BZX85C20	1.0000	RFQ	2810	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C20		1.3 W	Do-41G	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 15 V						20 V	24 ohmios
MMBZ5221B	0.0200	RFQ	23	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	Sot-23-3	descascar					EAR99	8541.10.0050	15,000						900 MV @ 10 Ma		100 µA @ 1 V						2.4 V	30 ohmios
Gf1g	-	RFQ	4274	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			400 V		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
FLZ2V2B	0.0200	RFQ	24	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 4%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	2.500						1.2 v @ 200 ma		55 µA @ 700 MV						2.3 V	35 ohmios
1N5226BTR	0.0300	RFQ	54	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0050	11,539						1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 V	28 ohmios
3N250	0.3000	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM		Estándar		KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	30						1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V		1.5 A		Fase única	600 V
1N959B	3.2100	RFQ	122	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	94								50 µA @ 6.2 V						8.2 V	6.5 ohmios
Mm5z11v	-	RFQ	7089	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z1		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000								100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
FLZ3V0A	-	RFQ	1071	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 4%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	-	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	2.500						1.2 v @ 200 ma		35 µA @ 1 V						3 V	35 ohmios
Kbu4m	1.4800	RFQ	7508	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBU		Estándar		Kbu	descascar	ROHS3 Cumplante			2156-kbu4m-fs	EAR99	8541.10.0080	200						1 v @ 4 a		5 µA @ 50 V		4 A		Fase única	1 kV
BZX79C27	0.0200	RFQ	84	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000						1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 18.9 V						27 V	80 ohmios
1N757A	2.0800	RFQ	133	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	145						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V						9.1 V	10 ohmios
BZX85C5V1-T50A	0.0400	RFQ	33	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-		Vendedor indefinido	Alcanzar Afectados	2156-BZX85C5V1-T50A-600039			1						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 2 V						5.1 V	10 ohmios
BZX84C30	-	RFQ	5468	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C30		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 21 V						30 V	80 ohmios
BZX85C3V3-FS	0.0300	RFQ	71	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6.06%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 200 ma		60 µA @ 1 V						3.3 V	20 ohmios
1N749A	2.0800	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	156						1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V						4.3 V	22 ohmios
EGP30A	0.2800	RFQ	3	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		Do-201ad	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-EGP30A-600039			1.156	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			50 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	95pf @ 4V, 1 MHz
MM5Z12V	-	RFQ	7658	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F			200 MW	Sod-523f	-		Vendedor indefinido	Vendedor indefinido	2156-MM5Z12V-600039			1								100 na @ 8 V						12 V	25 ohmios
Flz36vd	1.0000	RFQ	4385	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	2.500						1.2 v @ 200 ma		133 na @ 27 V						34.9 V	63 ohmios
BZX55C43	0.0200	RFQ	5665	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000						1.3 V @ 100 Ma		100 na @ 32 V						43 V	90 ohmios
1N4736A-T50A	0.0300	RFQ	18	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4736		1 W	Do-41	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,414								10 µA @ 4 V						6.8 V	3.5 ohmios
1N5400	0.0200	RFQ	6663	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante			2156-1N5400-FSTR	EAR99	8541.10.0080	1.250	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			50 V		1.2 v @ 3 a		5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
1N4735ATR	-	RFQ	7745	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar					EAR99	8541.10.0050	1								10 µA @ 3 V						6.2 V	2 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²