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Diodos (421)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HN2S02FU (TE85L, F) | 0.4900 |  | 35 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | HN2S02 | Schottky | US6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3 Independientes | 40 V | 100mA | 600 MV @ 100 Ma | 5 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||
 | 1SS404, H3F | 0.2000 | | 55 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1SS404 | Schottky | USC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 300 Ma | 50 µA @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 300mA | 46pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | Hn1d03fte85lf | 0.4200 | | 66 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | HN1D03 | Estándar | SC-74 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 par ca + cc | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||
 | 1SV285TPH3F | 0.0834 | | 9414 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SV285 | ESC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 2.35pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 10 V | 2.3 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||
 | CLS03 (TE16L, PSD, Q) | - | | 6614 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | L-FLAT ™ | CLS03 | Schottky | L-FLAT ™ (4x5.5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 10 A | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 10A | 345pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| Hn2d01fte85lf | 0.4700 | | 201 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | HN2D01 | Estándar | SC-74 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3 Independientes | 80 V | 80mera | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||
 | CRH02 (TE85L, Q, M) | 0.3600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | CRH02 | Estándar | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 500 Ma | 35 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | |||||||||||||||||
 | DSF01S30SL, L3F | 0.3500 | | 62 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | DSF01S30 | Schottky | SL2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 100 Ma | 50 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 9.02pf @ 2V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| CRG04A, LQ (M | - | | 4458 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Caja | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Estándar | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 600 V | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
 | 1SS193, LF | 0.2200 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS193 | Estándar | S-Mini | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 3PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
 | CUHS20F40, H3F | 0.3600 | | 36 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CUHS20 | Schottky | US2H | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 540 MV @ 2 A | 60 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 300pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| CLH06 (TE16R, Q) | - | | 7267 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | L-FLAT ™ | CLH06 | Estándar | L-FLAT ™ (4x5.5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 35 ns | - | 5A | - | ||||||||||||||||||||
| 1SS392, LF | 0.3600 | | 13 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS392 | Schottky | SC-59 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 100mA | 600 MV @ 100 Ma | 5 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||
| CMS03 (TE12L, Q, M) | 0.6600 | | 17 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | CMS03 | Schottky | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 3 A | 500 µA @ 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||
 | CTS05S30, L3F | 0.3400 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sod-882 | CTS05S30 | Schottky | CST2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 340 MV @ 100 Ma | 150 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 55pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| CUS01 (TE85L, Q, M) | - | | 8070 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Cus01 | Schottky | US-Flat (1.25x2.5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 1 A | 1.5 Ma @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||
 | 1SV270TPH3F | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1SV270 | USC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 8.7pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 10 V | 2 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||
 | JDV2S41FS (TPL3) | - | | 5763 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | JDV2S41 | FSC | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 16pf @ 2v, 1 MHz | Soltero | 15 V | - | - | ||||||||||||||||||||
| 1SV280, H3F | 0.4400 | | 7027 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SV280 | ESC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 2pf @ 10V, 1 MHz | Soltero | 15 V | 2.4 | C2/C10 | - | |||||||||||||||||||
| CRF03A, LQ (M | - | | 5905 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Caja | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Estándar | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 700 Ma | 100 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C | 700mA | - | ||||||||||||||||||||
| CRZ10 (TE85L, Q, M) | 0.4900 | | 9265 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | CRZ10 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 6 V | 10 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
 | JDP2S02ACT (TPL3) | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Sod-882 | JDP2S02 | CST2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 50 Ma | 0.4pf @ 1V, 1 MHz | PIN - Single | 30V | 1.5ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||
| 1SS295 (TE85L, F) | - | | 8878 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS295 | SC-59-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 30 Ma | 0.9pf @ 0.2V, 1MHz | Schottky - 1 par Cátodo Común | 4v | - | |||||||||||||||||||||
| 1SV228TPH3F | 0.4400 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SV228 | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 13.7pf @ 8V, 1MHz | 1 par Cátodo Común | 15 V | 2.6 | C3/C8 | - | |||||||||||||||||||
| CES521, L3F | 0.1800 | | 64 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | CES521 | Schottky | ESC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 26pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | BAS516, L3F | 0.1800 | | 9356 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BAS516 | Estándar | ESC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 0.35pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
| CMZ24 (TE12L, Q, M) | 0.5400 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | CMZ24 | 2 W | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 17 V | 24 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
| CRS05 (TE85L, Q, M) | 0.1326 | | 9706 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | CRS05 | Schottky | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||
| CRF03 (TE85L, Q, M) | - | | 5105 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOD-123F | CRF03 | Estándar | S-FLAT (1.6x3.5) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 700 Ma | 100 ns | 50 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 700mA | - | ||||||||||||||||
| CUS03 (TE85L, Q, M) | - | | 8668 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Cus03 | Schottky | US-Flat (1.25x2.5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | CUS03 (TE85LQM) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 700 Ma | 100 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 700mA | 45pf @ 10V, 1 MHz |
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