SIC
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Diodos (421)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
TBAT54,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54, LM 0.2100
RFQ
 ECAD 545 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TBAT54 Schottky Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 580 MV @ 100 Ma 1.5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C (Máximo) 140 Ma -
CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS521, H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS521 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 500 MV @ 200 Ma 30 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 26pf @ 0v, 1 MHz
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOD-128 CMF02 Estándar M-FLAT (2.4x3.8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) CMF02 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 1 A 50 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PCD, Q) -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto Montaje en superficie L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 580 MV @ 10 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10V, 1MHz
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279, H3F 0.4800
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 1SV279 ESC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 4.000 6.5pf @ 10V, 1 MHz Soltero 15 V 2.5 C2/C10 -
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q 4.9600
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 TRS12N65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 - 1 (ilimitado) 264-TRS12N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 6a (DC) 1.6 v @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V 175 ° C
TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65F, S1Q 3.7200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 TRS8E65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2L descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo) 8A 28pf @ 650V, 1MHz
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F40, H3F 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS05F40 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 810 MV @ 500 Ma 15 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 500mA 28pf @ 0v, 1 MHz
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ27 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ27 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 19 V 27 V 30 ohmios
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS (TPL3) 0.4100
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano JDV2S10 FSC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 3.4pf @ 2.5V, 1MHz Soltero 10 V 2.55 C0.5/C2.5 -
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F Llorar 91 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 5.5 V 9.1 V 30 ohmios
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307 (TE85L, F) 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SS307 Estándar S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1.3 V @ 100 Ma 10 na @ 30 V 125 ° C (Máximo) 100mA 6pf @ 0v, 1 MHz
CRZ12(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12 (TE85L, Q) -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F CRZ12 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar 1 (ilimitado) CRZ12TR-NDR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 8 V 12 V 30 ohmios
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40, H3F 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS10F40 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 670 MV @ 1 A 20 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A 74pf @ 0v, 1 MHz
HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02F (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN1D02 Estándar SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 par Cátodo Común 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V -55 ° C ~ 125 ° C
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0.5300
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 CMS09 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 10V, 1 MHz
1SS417,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417, L3M 0.2700
RFQ
 ECAD 9195 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano 1SS417 Schottky FSC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 620 MV @ 50 Ma 5 µA @ 40 V 125 ° C (Máximo) 100mA 15pf @ 0v, 1 MHz
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387CT, L3F 0.2400
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sod-882 1SS387 Estándar CST2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 100mA 0.5pf @ 0V, 1MHz
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A (TE85L, QM 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRS30I30 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 490 MV @ 3 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 3A 82pf @ 10V, 1 MHz
HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1D03 Estándar US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 par ca + cc 80 V 80mera 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02 (TE16L, Q) -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto Montaje en superficie L-FLAT ™ CLH02 Estándar L-FLAT ™ (4x5.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 3 A 35 ns 10 µA @ 300 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427, L3M 0.2700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sod-923 1SS427 Estándar Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 100mA 0.3pf @ 0V, 1MHz
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367, H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1SS367 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 10 V 500 MV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 40pf @ 0V, 1 MHz
CMH08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOD-128 CMH08 Estándar M-FLAT (2.4x3.8) descascar Cumplimiento de Rohs CMH08 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 100 ns 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Cus10i40 Schottky US-Flat (1.25x2.5) descascar Cumplimiento de Rohs CUS10I40A (TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A 35pf @ 10V, 1 MHz
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05 (TE85L, Q, M) 0.4600
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRG05 Estándar S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40, L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sod-882 CBS10F40 Schottky CST2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 700 MV @ 1 A 20 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A 74pf @ 0v, 1 MHz
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30, L3F 0.3800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-smd, sin plomo CCS15S30 Schottky CST2C descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 400 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 1.5a 200pf @ 0V, 1 MHz
1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360, LJ (CT 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 1SS360 Estándar SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30, H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano CUHS20 Schottky US2H descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 410 MV @ 2 A 500 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 2A 390pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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