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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RS1MLW Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mlw 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Rs1m Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2DA R3G -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2d Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
RS2DAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs2dahr3g -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2d Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
1M110ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M110ZHR1G -
RFQ
 ECAD 6118 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1M110 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 83.6 V 110 V 450 ohmios
1M150Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150Z R1G -
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m150 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 114 V 150 V 1000 ohmios
1M200Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M200Z R1G -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m200 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 152 V 200 V 1500 ohmios
1N4741AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741AHR1G -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4741 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 15.2 V 11 V 22 ohmios
1N4745A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745A R1G -
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4745 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 12.2 V 16 V 20 ohmios
1N4763A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4763A R1G -
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4763 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 69.2 V 91 V 250 ohmios
UG56GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation UG56GHB0G -
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial UG56 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.55 v @ 5 a 20 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A -
GBPC15005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15005M T0G -
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC15005 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 15 A Fase única 50 V
GBPC1502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1502W T0G -
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC1502 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 A Fase única 200 V
GBPC1504W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1504W T0G -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC1504 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
GBPC1506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1506W T0G -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC15 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
GBPC1510M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510M T0G -
RFQ
 ECAD 2358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC1510 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
GBPC1510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510W T0G -
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC1510 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
GBPC2501 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2501 T0G -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2501 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 A Fase única 100 V
GBPC2506M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2506M T0G -
RFQ
 ECAD 5831 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC2506 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
GBPC2508 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508 T0G -
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2508 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
GBPC2510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2510 T0G -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2510 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
GBPC35005W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35005W T0G -
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC35005 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
GBPC3502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3502W T0G -
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3502 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 A Fase única 200 V
GBPC3510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510 T0G -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3510 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
GBPC3510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510W T0G -
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3510 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
GBPC40005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40005M T0G -
RFQ
 ECAD 2575 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC40005 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 50 V 40 A Fase única 50 V
GBPC4002 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4002 T0G -
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC4002 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 100 V 40 A Fase única 200 V
GBPC4006M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4006M T0G -
RFQ
 ECAD 6114 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC4006 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 600 V 40 A Fase única 600 V
GBPC5010M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5010M T0G -
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC5010 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 1000 V 50 A Fase única 1 kV
SR004 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR004 B0G -
RFQ
 ECAD 2567 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Sr004 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
SR009HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr009hb0g -
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR009 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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