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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK515C R7 | - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sk515cr7tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 5 A | 300 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | 1PGSMC5352 M6G | - | ![]() | 1106 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5352M6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 3 ohmios | |||||||||||
![]() | S3D R7 | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S3DR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SR503 | - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR503TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | MBRF16150 | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRF16150 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 16 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | SR1202 | - | ![]() | 1070 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR1202TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 12 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | TS20P02GH | - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | Estándar | TS-6P | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TS20P02GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 100 V | 20 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
![]() | DBL107G | 0.2250 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Estándar | DBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 2 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
![]() | SRA10100 | - | ![]() | 7679 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sra10100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | SR202H | - | ![]() | 7112 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Schottky | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR202H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 2 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | F1T1GH | - | ![]() | 2307 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | Estándar | TS-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-F1T1GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | DBL152GH | - | ![]() | 1732 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Estándar | DBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-DBL152GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 100 V | 1.5 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
![]() | KBU402G | - | ![]() | 4480 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-KBU402G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
![]() | SF12GH | - | ![]() | 5228 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SF12GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | DBL151G | - | ![]() | 6204 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Estándar | DBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-DBL151G | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 50 V | 1.5 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
![]() | GBU803H | - | ![]() | 5519 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP, GBU | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-GBU803H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 200 V | 8 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
![]() | HER602G | - | ![]() | 4000 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | R-6, axial | Estándar | R-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HER602GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 v @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | GBU802H | - | ![]() | 8982 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP, GBU | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-GBU802H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 100 V | 8 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
![]() | KBU1003G | 1.9362 | ![]() | 1022 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-KBU1003G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
![]() | DBL202GH | - | ![]() | 3011 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Estándar | DBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-DBL202GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.15 v @ 2 a | 2 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
![]() | MBRF10150 | - | ![]() | 9119 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | MBRF1015 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRF10150 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.05 v @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||
![]() | TS15P01G | - | ![]() | 9491 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | Estándar | TS-6P | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TS15P01G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 50 V | 15 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
![]() | SR803 | - | ![]() | 9012 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR803TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | DBL203GH | - | ![]() | 8806 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Estándar | DBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-DBL203GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.15 v @ 2 a | 2 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
![]() | TS25P04G | 2.6300 | ![]() | 8108 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | Estándar | TS-6P | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TS25P04G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
![]() | MBRF2045H | - | ![]() | 5559 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRF2045H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 750 MV @ 20 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | MBR1660H | - | ![]() | 7802 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBR1660H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | DBL201GH | - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Estándar | DBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-DBL201GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.15 v @ 2 a | 2 µA @ 50 V | 2 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
![]() | DBL102GH | - | ![]() | 3079 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Estándar | DBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-DBL102GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 2 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
![]() | FR152G | - | ![]() | 7457 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-FR152GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz |
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