SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
GBPC5006 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5006 4.5670
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC50 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, GBPC GBPC5006 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC5006 EAR99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 600 V 50 A Fase única 600 V
BZX55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C6V2 0.0287
RFQ
ECAD 8096 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C6V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
BZT52B16S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B16S 0.0340
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B16STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
BZX55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C8V2 0.0290
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C8V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
BZX55C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C9V1 0.0287
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C9V1TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
BZX55C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C7V5 0.0287
RFQ
ECAD 2193 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C7V5TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
GBPC3510 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510 3.7238
RFQ
ECAD 8416 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC35 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, GBPC GBPC3510 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC3510 EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
BZX85C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C6V2 0.0645
RFQ
ECAD 2996 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C6V2TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 3 V 6.2 V 4 ohmios
BZT52C3V3-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3-G 0.0445
RFQ
ECAD 3549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C3V3-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
MMBD3004CC Taiwan Semiconductor Corporation Mmbd3004cc 0.0622
RFQ
ECAD 8224 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd3004 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMBD3004CCTR EAR99 8541.10.0070 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 350 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 240 V -65 ° C ~ 150 ° C 225 Ma 5PF @ 1V, 1MHz
MBR20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CT-Y 0.5404
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20200 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR20200CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 700 MV @ 20 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZY55C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c2v7 0.0350
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZY55C2V7TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 2.7 V 85 ohmios
MTZJ39SF Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj39sf 0.0305
RFQ
ECAD 7975 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ39 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ39SFTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 V 39.13 V 85 ohmios
BZT55B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B75 0.0385
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B75TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 56 V 75 V 170 ohmios
TS6KL80 Taiwan Semiconductor Corporation TS6KL80 0.4998
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJL TS6KL80 Estándar KBJL descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TS6KL80 EAR99 8541.10.0080 2,000 1.05 v @ 3 a 5 µA @ 800 V 6 A Fase única 800 V
HDBL103GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBL103GH 0.4257
RFQ
ECAD 2163 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HDBL103GH EAR99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1 A Fase única 200 V
MBRS25100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25100CT 0.8958
RFQ
ECAD 6088 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS25100 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS25100CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 25A 920 MV @ 25 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2 0.0504
RFQ
ECAD 1358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C6V2TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
HDBLS105GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS105GH 0.4257
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HDBLS105GHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 1.7 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 1 A Fase única 600 V
ZM4745A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4745a 0.0830
RFQ
ECAD 6773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4745 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4745ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
BZX584B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx584b3v6 0.0798
RFQ
ECAD 9168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B3V6TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
BZT52B36S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36S 0.0340
RFQ
ECAD 1714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B36STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
GBPC2508W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508W 3.1618
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC25 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2508 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC2508W EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
BZT52B51 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B51 0.0453
RFQ
ECAD 6249 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B51TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
BZD27C100P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P 0.2888
RFQ
ECAD 6318 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C100PTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
MMBD4148CA Taiwan Semiconductor Corporation Mmbd4148ca 0.0280
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd4148 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMBD4148CATR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 75 V 200 MMA 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55C39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C39 0.0287
RFQ
ECAD 1231 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C39TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
MTZJ3V6SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj3v6sb 0.0305
RFQ
ECAD 5200 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ3 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ3V6SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 10 µA @ 1 V 3.6 V 100 ohmios
MBRS1645H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1645H 0.6851
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1645 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS1645HTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 16 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
HER3004PTH Taiwan Semiconductor Corporation Her3004pth 1.8804
RFQ
ECAD 1321 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER3004 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 30A 1 V @ 15 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock